Improving the reliability of GaN HEMTs using MMC structures and free-standing GaN substrates
使用 MMC 结构和独立式 GaN 衬底提高 GaN HEMT 的可靠性
基本信息
- 批准号：15K06013
- 负责人：
- 金额：$ 3.16万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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Current Collapse Reduction in AlGaN/GaN HEMTs by High-Pressure Water Vapor Annealing
- DOI：10.1109/ted.2015.2440442
- 发表时间：2015-08-01
- 期刊：
- 影响因子：3.1
- 作者：Asubar, Joel T.;Kobayashi, Yohei;Kuzuhara, Masaaki
- 通讯作者：Kuzuhara, Masaaki
AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor technology for high-voltage and low-on-resistance operation
- DOI：10.7567/jjap.55.070101
- 发表时间：2016-06
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：M. Kuzuhara;J. Asubar;H. Tokuda
- 通讯作者：M. Kuzuhara;J. Asubar;H. Tokuda
Impact of Drain Electrode Shape Irregularities on Breakdown Voltage of AlGaN/GaN HEMTs
漏电极形状不规则性对 AlGaN/GaN HEMT 击穿电压的影响
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Ohi;S. Makino;T. Yamazaki;H. Tokuda;J. T. Asubar;and M. Kuzuhara
- 通讯作者：and M. Kuzuhara
Effect of Metal Electrode Shape Irregularities on AlGaN/GaN HEMTs Breakdown Voltage Revealed by Electroluminescence
电致发光揭示金属电极形状不规则性对 AlGaN/GaN HEMT 击穿电压的影响
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Makino;T. Yamazaki;S. Ohi;H. Tokuda;J. T. Asubar;and M. Kuzuhara
- 通讯作者：and M. Kuzuhara
Impact of rounded electrode corners on breakdown characteristics of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors
圆角电极角对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管击穿特性的影响
- DOI：10.7567/apex.11.054102
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：2.3
- 作者：Taisei Yamazaki;Joel T. Asubar;Hirokuni Tokuda;and Masaaki Kuzuhara
- 通讯作者：and Masaaki Kuzuhara
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Asubar Joel其他文献
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('Asubar Joel', 18)}}的其他基金
Highly Stable Normally-off GaN-based transistors via Structures and Process
通过结构和工艺实现高度稳定的常关型 GaN 晶体管
- 批准号：
19K04528 - 财政年份：2019
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Simulation of Widegap Semiconductor Devices
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17560317 - 财政年份：2005
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
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