Energy Saving Normally-off p-Channel Diamond FET with High-Current Operation
具有高电流运行功能的节能常关 p 沟道金刚石 FET
基本信息
- 批准号:25420349
- 负责人:
- 金额:$ 3.33万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2013
- 资助国家:日本
- 起止时间:2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
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Diamond logic inverter with enhancement-mode metal-insulator-semiconductor field effect transistor
- DOI:10.1063/1.4894291
- 发表时间:2014-08-25
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:Liu, J. W.;Liao, M. Y.;Koide, Y.
- 通讯作者:Koide, Y.
Normally-off HfO2-gated diamond field effect transistors
- DOI:10.1063/1.4820143
- 发表时间:2013-08-26
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:Liu, J. W.;Liao, M. Y.;Koide, Y.
- 通讯作者:Koide, Y.
Hole channel formation mechanism in AlN/diamond heterojunction and high-k oxide gate diamond FETs
AlN/金刚石异质结和高 k 氧化物栅极金刚石 FET 中的空穴沟道形成机制
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y. Koide;M. Imura;J. W. Liu;M. Y. Liao;R. G. Banal;T. Matsumoto;N. Shibata;and Y. Ikuhara
- 通讯作者:and Y. Ikuhara
Fabrication of low on-resistance diamond field effect transistors
低导通电阻金刚石场效应晶体管的制造
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:J. Liu;M. Y. Liao;M. Imura;and Y. Koide
- 通讯作者:and Y. Koide
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