Fabrication of high current output fin-type diamond field-effect transistors
高电流输出鳍式金刚石场效应晶体管的制造
基本信息
- 批准号：16K18096
- 负责人：
- 金额：$ 2.66万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（44）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Logic circuits with hydrogenated diamond MOSFETs
采用氢化金刚石 MOSFET 的逻辑电路
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：劉 江偉;Meiyong Liao;井村 将隆;小出 康夫
- 通讯作者：小出 康夫
Hydrogenated diamond MOSFETs and logic circuits
氢化金刚石 MOSFET 和逻辑电路
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：村上 厚介，齋藤 健太郎;高田 潤一;J. W. Liu
- 通讯作者：J. W. Liu
High-k TiO2 on diamond for electronic devices: capacitor, field-effect transistor, and logic inverter
用于电子器件的金刚石上高 k TiO2：电容器、场效应晶体管和逻辑逆变器
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：J. W. Liu;M. Y. Liao;M. Imura;B. Ryan;and Y. Koide
- 通讯作者：and Y. Koide
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Liu Jiangwei其他文献
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- 影响因子：3.7
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- 影响因子：9.5
- 作者：
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Waqar Saad;Liu Jiangwei;Sun Qidong;Guo Kai;Sun Jie - 通讯作者：
Sun Jie
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
相似海外基金
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