Study on high-K dielectric/regrown nitride semiconductor interfaces for high efficiency and highly-safe transistors

高K电介质/再生长氮化物半导体界面研究，用于高效、高安全晶体管

基本信息

  • 批准号：
    23K03971
  • 负责人：
    ASUBAR JOEL
  • 金额：
    $ 3万
  • 依托单位：
    University of Fukui
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份：
    2023
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2023-04-01 至 2026-03-31
  • 项目状态：
    未结题

项目摘要

项目成果

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数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

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  • 批准号：
    19K04528
  • 财政年份：
    2019
  • 资助金额：
    $ 3万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
{{ showInfoDetail.title }}

作者：{{ showInfoDetail.author }}

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