Study on III-Nitride Based MIS-Transistors with Low-loss and High-breakdown voltage Characteristics

低损耗高击穿电压III族氮化物MIS晶体管的研究

基本信息

批准号：
25420328
负责人：
Kuzuhara Masaaki
金额：
$ 3.33万
依托单位：
University of Fukui
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Interface Properties of n-GaN MIS Diodes with ZrO2/Al2O3 Laminated Films as a Gate Insulator

以 ZrO2/Al2O3 叠层薄膜作为栅极绝缘体的 n-GaN MIS 二极管的界面特性

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Kodama;H. Tokuda;and M. Kuzuhara
通讯作者：
and M. Kuzuhara

Reduced gate leakage and high thermal stability of AlGaN/GaN MIS-HEMTs using ZrO2/Al2O3 gate dielectric stack

DOI：
10.7567/apex.7.044101
发表时间：
2014-04-01
期刊：
APPLIED PHYSICS EXPRESS
影响因子：
2.3
作者：
Hatano, Maiko;Taniguchi, Yuya;Kuzuhara, Masaaki
通讯作者：
Kuzuhara, Masaaki

Electrical Characterization of stepped AlGaN/GaN Heterostructures

阶梯式 AlGaN/GaN 异质结构的电学表征

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Shintaro Kodama;Joel T. Asubar;Hirokuni Tokuda;S;Nakazawa;M. Ishida;T. Ueda;and Masaaki Kuzuhara
通讯作者：
and Masaaki Kuzuhara

Analysis of time dependent current collapse in AlGaN/GaN HEMTs

AlGaN/GaN HEMT 中随时间变化的电流崩塌分析

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
R. Maeta;H. Tokuda;and M. Kuzuhara
通讯作者：
and M. Kuzuhara

福井大学　葛原研究室

福井大学葛原实验室

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

DOI：
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Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

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Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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批准号：
2324781
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