Study on lateral breakdown field in GaN-based transistors

GaN基晶体管横向击穿场研究

基本信息

批准号：
16H04347
负责人：
Kuzuhara Masaaki
金额：
$ 10.73万
依托单位：
University of Fukui
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

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科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Electron concentration in highly resistive GaN substrates co-doped with Si, C, and Fe

DOI：
10.7567/jjap.57.071001
发表时间：
2018-07-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子：
1.5
作者：
Tokuda, Hirokuni;Suzuki, Kosuke;Kuzuhara, Masaaki
通讯作者：
Kuzuhara, Masaaki

AlGaN/GaN HEMTs on Free-standing GaN substrate with Breakdown Voltage of 5 kV and Effective Lateral Critical Field of 1 MV/cm

独立式 GaN 衬底上的 AlGaN/GaN HEMT，击穿电压为 5 kV，有效横向临界场为 1 MV/cm

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
J. H. Ng;J. T. Asubar;H. Tokuda;and M. Kuzuhara
通讯作者：
and M. Kuzuhara

Correlation of AlGaN/GaN HEMTs electroluminescence characteristics with current collapse

AlGaN/GaN HEMT 电致发光特性与电流崩塌的相关性

DOI：
10.7567/apex.11.024101
发表时间：
2018
期刊：
Appl. Phys. Express
影响因子：
0
作者：
S. Ohi;T. Yamazaki;J. T. Asubar;H. Tokuda;and M. Kuzuhara
通讯作者：
and M. Kuzuhara

Advanced breakdown characteristics of AlGaN/GaN HEMTs fabricated on free-standing GaN substrates

在独立式 GaN 衬底上制造的 AlGaN/GaN HEMT 的高级击穿特性

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yoshiaki Kanamori;Daisuke Ema;and Kazuhiro Hane;山本文子;M. Kuzuhara
通讯作者：
M. Kuzuhara

Study on breakdown field in Fe-doped semi-insulating GaN substrates

Fe掺杂半绝缘GaN衬底击穿场研究

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
A. Aoai;K. Suzuki;J. T. Asubar;H. Tokuda;N. Okada;K. Tadatomo;and M. Kuzuhara
通讯作者：
and M. Kuzuhara

DOI：
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2019
资助金额：
$ 10.73万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

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2023
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批准号：
批准年份：
2022
资助金额：
30 万元
项目类别：
青年科学基金项目

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批准号：
24H00310
财政年份：
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资助金额：
$ 10.73万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

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批准号：
23K03793
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资助金额：
$ 10.73万
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Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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批准号：
2324781
财政年份：
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资助金额：
$ 10.73万
项目类别：
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