GaN单晶生长的研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:59972040
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:13.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:E0201.人工晶体与玻璃材料
- 结题年份:2002
- 批准年份:1999
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2000-01-01 至2002-12-31
- 项目参与者:陆坤权; 兰玉成; 许燕萍; 曹永革; 俞育德; 许涛; 蒋培植;
- 关键词:
项目摘要
将避开GaN熔点高、易分解的特点,采用非水溶剂,低熔点无机盐及金属作为矿化剂和助熔粒芯縂aN与这些物质的相互作用规律,找出合适的矿化剂和助熔剂。研究生长条件对GaN逯柿康挠跋欤赏诓惶叩奈露群脱沽ο拢こ鼍哂惺涤眉壑档腉aN单晶。类似的工作在国内外尚未见报道,本课题具有开创性,对生长其它氮化物晶体具有指导意义。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(20)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Synthesis and RamanCharacteristics of hexagonalAlxGa1-xNalloy nanocrystalline
六方AlxGa1-xN合金纳米晶的合成及拉曼特性
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:Applied Physics A,
- 影响因子:--
- 作者:Y.G. Cao, X.L. Chen
- 通讯作者:Y.G. Cao, X.L. Chen
Fabrication and characterization of In2O3 nanowiresL.
In2O3 纳米线的制备和表征。
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:Appl. Phys. A
- 影响因子:--
- 作者:Dai, X.L.Chen
- 通讯作者:Dai, X.L.Chen
Formation of GaN nanorods by sublimation method
升华法形成GaN纳米棒
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:J. Cryst. Growth
- 影响因子:--
- 作者:J.Y.Li, X.L.Chen
- 通讯作者:J.Y.Li, X.L.Chen
Regular arrays of GaN nanorods
规则的 GaN 纳米棒阵列
- DOI:10.1016/s0022-0248(01)02162-5
- 发表时间:2002-03
- 期刊:J. Crystal Growth
- 影响因子:--
- 作者:Z.J.Li, X.L.Chen
- 通讯作者:Z.J.Li, X.L.Chen
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- 影响因子:--
- 作者:胡建昆;陈小龙
- 通讯作者:陈小龙
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- DOI:--
- 发表时间:2018
- 期刊:中华胃肠外科杂志
- 影响因子:--
- 作者:杨昆;张维汉;陈心足;陈小龙;刘凯;赵林勇;刘键平;伍兵;周总光;胡建昆
- 通讯作者:胡建昆
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