GaN晶体片生长机制的探索
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:10044001
- 项目类别:专项基金项目
- 资助金额:6.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:A2002.凝聚态物质力热光电性质
- 结题年份:2000
- 批准年份:2000
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2000-01-01 至2000-12-31
- 项目参与者:陆坤权; 兰玉成; 许燕萍; 曹永革; 俞育德; 许涛; 蒋培植;
- 关键词:
项目摘要
研究GaN在熔体中和液氨超临界流体中以及握-液反应过程中的生长机制。实验测量成分、温度、降温速度、压力等因素对GaN的成核、生长形为、晶体形态的影响规律。可望在不太高的温度、压力下,生长出具有实用价值的GaNu单晶及尺寸可控制的GaN纳米体和纳米线。本课题不仅对GaN晶体生长有重要的指导意义,而且对其它氮化物的制备也有重要的学术价值。.
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(8)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Synthesis and structure of nanocrystal-assembled bulk GaN
纳米晶组装体GaN的合成与结构
- DOI:10.1016/s0022-0248(99)00522-9
- 发表时间:2000-01-01
- 期刊:JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
- 影响因子:1.8
- 作者:Chen, XL;Cao, YG;Liang, JK
- 通讯作者:Liang, JK
Straight and smooth GaN nanowires
笔直且光滑的 GaN 纳米线
- DOI:10.1002/1521-4095(200010)12:19<1432::aid-adma1432>3.0.co;2-x
- 发表时间:2000-10-02
- 期刊:ADVANCED MATERIALS
- 影响因子:29.4
- 作者:Chen, XL;Li, JY;Qiao, ZY
- 通讯作者:Qiao, ZY
Fabrication of nano-sized AlGaN alloy by dry milling and thermal annealing
干磨热退火制备纳米AlGaN合金
- DOI:10.1016/s0925-8388(00)01064-1
- 发表时间:2000-09
- 期刊:J. Alloys Compd.
- 影响因子:--
- 作者:Y.G. Cao;X.L. Chen;Y.C. Lan;et. al.
- 通讯作者:et. al.
Formation of GaN nanorods by a sublimation method
通过升华法形成GaN纳米棒
- DOI:10.1016/s0022-0248(00)00390-0
- 发表时间:2000-06
- 期刊:J. Cryst. Growth
- 影响因子:--
- 作者:J.Y. Li;X.L. Chen;et. al.
- 通讯作者:et. al.
Morphological stability of a nanowire during growth process
纳米线生长过程中的形态稳定性
- DOI:10.1142/s0217984901001495
- 发表时间:2001-01-15
- 期刊:MODERN PHYSICS LETTERS B
- 影响因子:1.9
- 作者:Chen, XL;Li, JY;Cao, YG
- 通讯作者:Cao, YG
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- 作者:陈唯实;黄毅峰;陈小龙;卢贤锋;张洁
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- 通讯作者:吴星
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- 作者:胡建昆;陈小龙
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- DOI:--
- 发表时间:2018
- 期刊:中华胃肠外科杂志
- 影响因子:--
- 作者:杨昆;张维汉;陈心足;陈小龙;刘凯;赵林勇;刘键平;伍兵;周总光;胡建昆
- 通讯作者:胡建昆
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