第三代半导体材料SiC大尺寸单晶和薄膜生长研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:50132040
- 项目类别:重点项目
- 资助金额:160.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:E0201.人工晶体与玻璃材料
- 结题年份:2004
- 批准年份:2001
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2002-01-01 至2004-12-31
- 项目参与者:李晓光; 吴星; 王玉霞; 杨碚芳; 俞育德; 肖兵; 庄击勇;
- 关键词:
项目摘要
研究物理气相传输过程中生长条件对SiC晶体生长速度和晶体形态的影响,各种缺陷的形成坪拖ν揪叮こ龃蟪叽绺咧柿康ゾАQ芯刻蓟枰熘屎屯释庋颖∧さ纳と攘ρШ投ρ侍?优化生长工艺;探讨生长过程中缺陷的形成机制、减少缺陷的途径及掺杂控制恢荚诨竦酶呶麓蠊β势骷玫母咂分侍蓟柰庋颖∧げ⒅票赋瞿透呶绿蓟柙托图
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(37)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(1)
专利数量(0)
Theoretical studies on band structure and optical properties of 3C-SiC by FPLAPW
FPLAPW对3C-SiC能带结构和光学性质的理论研究
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. Accepted 2004 (SCI)
- 影响因子:--
- 作者:徐彭寿;谢长坤;潘海斌;徐法强
- 通讯作者:徐法强
New type of defects in SiC grown by the PVT method
PVT 法生长 SiC 中的新型缺陷
- DOI:10.1088/0953-8984/17/10/l01
- 发表时间:2005-03
- 期刊:Journal of physics: condensed matter
- 影响因子:--
- 作者:朱丽娜;李河清;胡伯清;吴星;陈小龙
- 通讯作者:陈小龙
碳化硅(SiC)紫外探测器的研究
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:中国科学技术大学学报
- 影响因子:--
- 作者:王丽玉;谢家纯;胡林辉;王克彦
- 通讯作者:王克彦
SiC肖特基紫外光电探测器的研制
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:半导体光电
- 影响因子:--
- 作者:王丽玉;谢家纯;刘文齐
- 通讯作者:刘文齐
宽禁带SiC肖特基势垒二极管的研制
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:中国科学技术大学学报
- 影响因子:--
- 作者:徐军;谢家纯;董小波;王克彦;李垚;易波
- 通讯作者:易波
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其他文献
雷达海杂波测量试验回顾与展望
- DOI:10.12000/jr19006
- 发表时间:2019
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- 影响因子:--
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- 通讯作者:关键
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- 作者:陈唯实;黄毅峰;陈小龙;卢贤锋;张洁
- 通讯作者:张洁
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- 影响因子:--
- 作者:胡建昆;陈小龙
- 通讯作者:陈小龙
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- DOI:--
- 发表时间:2018
- 期刊:中华胃肠外科杂志
- 影响因子:--
- 作者:杨昆;张维汉;陈心足;陈小龙;刘凯;赵林勇;刘键平;伍兵;周总光;胡建昆
- 通讯作者:胡建昆
工业纯锆的室温压缩变形行为
- DOI:--
- 发表时间:2017
- 期刊:金属热处理
- 影响因子:--
- 作者:蔡文华;杨西荣;刘晓燕;罗雷;陈小龙
- 通讯作者:陈小龙
其他文献
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