Integration of RF Circuits with High Speed GaN Switching on Silicon Substrates
在硅衬底上集成射频电路与高速 GaN 开关
基本信息
- 批准号：EP/N017927/1
- 负责人：
- 金额：$ 55.42万
- 依托单位：
- 依托单位国家：英国
- 项目类别：Research Grant
- 财政年份：2016
- 资助国家：英国
- 起止时间：2016 至 无数据
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.
目前，GtR 中尚未提供所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要，但可能是因为它包含个人详细信息等敏感信息。
项目成果
期刊论文数量（10）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Scanning capacitance microscopy of GaN-based high electron mobility transistor structures: A practical guide.
GaN 基高电子迁移率晶体管结构的扫描电容显微镜：实用指南。
- DOI：10.1016/j.ultramic.2023.113833
- 发表时间：2023-08-01
- 期刊：
- 影响因子：2.2
- 作者：Cheng Chen;Saptarsi Ghosh;Francesca Adams;M. Kappers;D. Wallis;R. Oliver
- 通讯作者：R. Oliver
Additive GaN Solid Immersion Lenses for Enhanced Photon Extraction Efficiency from Diamond Color Centers
增材式 GaN 固体浸没透镜可提高钻石色心的光子提取效率
- DOI：http://dx.10.17863/cam.100726
- 发表时间：2023
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Cheng X
- 通讯作者：Cheng X
Photoluminescence studies of cubic GaN epilayers
立方氮化镓外延层的光致发光研究
- DOI：http://dx.10.1002/pssb.201600733
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Church S
- 通讯作者：Church S
Additive GaN Solid Immersion Lenses for Enhanced Photon Extraction Efficiency from Diamond Color Centers.
增材式 GaN 固体浸没透镜可提高钻石色心的光子提取效率。
- DOI：http://dx.10.1021/acsphotonics.3c00854
- 发表时间：2023
- 期刊：
- 影响因子：7
- 作者：Cheng X
- 通讯作者：Cheng X
Vertical leakage mechanism in GaN on Si high electron mobility transistor buffer layers
Si高电子迁移率晶体管缓冲层中GaN的垂直漏电机制
- DOI：http://dx.10.17863/cam.30431
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Choi F
- 通讯作者：Choi F
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Macroplastique and Botox are superior to Macroplastique alone in the management of neurogenic vesicoureteric reflux in spinal cord injury population with presumed healthy bladders
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- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
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- DOI：
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- 影响因子：19.6
- 作者：
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G. Burnstock
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- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
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形状和图像非欧几里得数据的非参数分析
- DOI：
10.1007/s13171-018-0127-9 - 发表时间：
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- 影响因子：0
- 作者：
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- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：
R. Bhattacharya;Rachel Oliver - 通讯作者：
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氮化物材料缺陷处合金和掺杂原子的偏析
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$ 55.42万 - 项目类别：
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在硅衬底上集成射频电路与高速 GaN 开关
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