Integration of RF Circuits with High Speed GaN Switching on Silicon Substrates

在硅衬底上集成射频电路与高速 GaN 开关

基本信息

批准号：
EP/N014820/1
负责人：
Khaled Elgaid
金额：
$ 98.21万
依托单位：
University of Glasgow
依托单位国家：
英国
项目类别：
Research Grant
财政年份：
2016
资助国家：
英国
起止时间：
2016 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://gtr.ukri.org/projects?ref=EP%2FN014820%2F1
关键词：
Integration RF Circuits Speed GaN

项目摘要

Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.

目前，GtR 中尚未提供所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要，但可能是因为它包含个人详细信息等敏感信息。

项目成果

期刊论文数量（9）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Terahertz microstrip elevated stack antenna technology on GaN-on-low resistivity silicon substrates for TMIC

用于 TMIC 的低电阻率硅衬底上 GaN 的太赫兹微带高架堆叠天线技术

DOI：
http://dx.10.1109/eumc.2016.7824367
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Benakaprasad B
通讯作者：
Benakaprasad B

GaN on Low-Resistivity Silicon THz High-Q Passive Device Technology

低电阻率硅上的 GaN 太赫兹高 Q 无源器件技术

DOI：
http://dx.10.17863/cam.9812
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Eblabla A
通讯作者：
Eblabla A

GaN on Low-Resistivity Silicon THz High-Q Passive Device Technology

低电阻率硅上的 GaN 太赫兹高 Q 无源器件技术

DOI：
10.1109/tthz.2016.2618751
发表时间：
2024-09-14
期刊：
IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology
影响因子：
3.2
作者：
A. Eblabla;Xu Li;D. Wallis;I. Guiney;K. Elgaid
通讯作者：
K. Elgaid

Design and performance comparison of various terahertz microstrip antennas on GaN-on-low resistivity silicon substrates for TMIC

TMIC 低电阻率硅衬底上 GaN 各种太赫兹微带天线的设计和性能比较

DOI：
http://dx.10.1109/apmc.2016.7931368
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Benakaprasad B
通讯作者：
Benakaprasad B

GaN HEMT based technology development for millimetre wave applications

基于 GaN HEMT 的毫米波应用技术开发

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Alathbah Moath
通讯作者：
Alathbah Moath

DOI：
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作者：
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作者：
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Khaled Elgaid其他文献

Low-Loss MIM Capacitor on Thick SiO2 Dielectric for GaN-on-Si Substrates with Standard and Elevated Top Electrode Configurations

用于具有标准和升高顶部电极配置的 GaN-on-Si 衬底的厚 SiO2 电介质上的低损耗 MIM 电容器

DOI：
发表时间：
2023
期刊：
European Microwave Conference
影响因子：
0
作者：
A. Eblabla;Arathy Varghese;Hareesh Chandrashekar;M. Uren;M. Kuball;Khaled Elgaid
通讯作者：
Khaled Elgaid