Integration of RF Circuits with High Speed GaN Switching on Silicon Substrates

在硅衬底上集成射频电路与高速 GaN 开关

基本信息

批准号：
EP/N016610/1
负责人：
Andrew Forsyth
金额：
$ 45.71万
依托单位：
University of Manchester
依托单位国家：
英国
项目类别：
Research Grant
财政年份：
2016
资助国家：
英国
起止时间：
2016 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://gtr.ukri.org/projects?ref=EP%2FN016610%2F1
关键词：
Integration RF Circuits Speed GaN

项目摘要

Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.

目前，GtR 中尚未提供所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要，但可能是因为它包含个人详细信息等敏感信息。

项目成果

期刊论文数量（4）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

75 MHz discrete GaN based multi-level buck converter for envelope tracking applications

适用于包络跟踪应用的 75 MHz 分立式 GaN 多电平降压转换器

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Villarruel
通讯作者：
Villarruel

75 MHz discrete GaN based multi-level buck converter for envelope tracking applications

适用于包络跟踪应用的 75 MHz 分立式 GaN 多电平降压转换器

DOI：
http://dx.10.1109/apec.2019.8721823
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Villarruel
通讯作者：
Villarruel

Control of Envelope Tracking PWM Multi-level Buck Converters up to 150 MHz

高达 150 MHz 的包络跟踪 PWM 多级降压转换器的控制

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Villarruel
通讯作者：
Villarruel

Characterising the Baseband Impedance of Supply Modulators Using Simple Modulated Signals

使用简单的调制信号表征电源调制器的基带阻抗

DOI：
http://dx.10.1109/inmmic46721.2020.9160186
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Alt A
通讯作者：
Alt A

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

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DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
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通讯作者：
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