Rapid Nitriding of Aluminum Using Nitrogen Glow Plasma

使用氮辉光等离子体对铝进行快速渗氮

基本信息

  • 批准号:
    09555226
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.58万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    1997
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1997 至 1998
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

The bulk of aluminum was rapidly nitrided using nitrogen r.f. glow plasma. The results were summarized below.A pellet formed from aluminum powder was rapidly nitrided at 1000゚C for 10min with a conversion of 94%. The optimum plate power of r.f. source was 1.85kW.Aluminum nitride fibers with 1mum in dia. were densely packed in the nitrided sample. This nitriding may be caused by activated nitrogen species N, N^+ and N_2^+, because such rapid and low-temperature nitriding has not been reported. Furthermore, the rapid and low-temperature nitridings were also achieved in the aluminums with other shapes ; grain(phi6.2mm*5.5mm), plate(0.5*10.0*10.0mm, cube(l0.0*l0.0*4.0mm) and grains with 2mm in dia.Pretreatment was done by Ar or H_2 plasma. The effect was not recognized in Ar or Ar/H_2 plasma. However, when H_2 plasma was used for the pretreatment of Al plate, the conversion of Al plate was increased to 97%.Furthermore, the nitriding process was studied by the interruption of the reaction. When the pellets prepared from atomized powder were used, the reaction process was clearly observed. In this case, the nitriding by the nitrogen glow plasma proceeds on the surface of the aluminum bulk. The aluminum at the boundary is evaporated by the reaction heat to react with the activated nitrogen, depositing A1N dendrites on the surface. The aluminum inside moves to the boundary to make a cave at the bottom of the sample.
使用氮气射频辉光等离子体对大部分铝进行快速氮化,结果总结如下。由铝粉形成的颗粒在 1000°C 下快速氮化 10 分钟,射频源的最佳板功率为 1.85。 kW.直径为1μm的氮化铝纤维密集地堆积在氮化样品中。通过活化氮物种N、N^+和N_2^+,这种快速低温氮化尚未见报道。此外,在其他晶粒(phi6. 2mm*5.5mm)、板状(0.5*10.0*10.0mm)、立方体(l0.0*l0.0*4.0mm)及2mm颗粒dia.采用Ar或H_2等离子体进行预处理时,在Ar或Ar/H_2等离子体中没有发现效果,但是当使用H_2等离子体对Al板进行预处理时,Al板的转化率提高到97%。 ,通过中断反应来研究氮化过程。当使用由雾化粉末制备的颗粒时,可以清楚地观察到反应过程,在这种情况下,氮等离子体辉光的氮化在表面上进行。铝块的边界处的铝被反应热蒸发,与活化的氮发生反应,在表面沉积出AlN枝晶,内部的铝移动到边界,在样品的底部形成一个洞穴。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
伊藤 滋、 明石和夫: "RAPID NITRIDING OF ALUMINUM UNDER NITROGEN GLOW PLASMA" Proc.International Symposium on Processing, Designing and Properties of Advanced Enginnering Materials. 703-708 (1997)
Shigeru Ito、Kazuo Akashi:“氮辉光等离子体下铝的快速氮化”Proc.国际先进工程材料加工、设计和性能研讨会(1997 年)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

AKASHI Kazuo其他文献

AKASHI Kazuo的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('AKASHI Kazuo', 18)}}的其他基金

The Effect of Bias Voltage Application to Metals to Promote Their Nitriding and Carburizing in High-Density Inductively Coupled Plasma
高密度电感耦合等离子体中对金属施加偏压促进渗氮和渗碳的效果
  • 批准号:
    06650814
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 3.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
Rapid Growth of Diamond Film by Combustion Plasma Coupled Inductively with Radio Frequency Power
燃烧等离子体与射频功率感应耦合快速生长金刚石薄膜
  • 批准号:
    04555159
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 3.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
Application of Chemical Transport Using Micro Wave Plasma to Deposition of Cubic Boron Nitride Film
微波等离子体化学输运在立方氮化硼薄膜沉积中的应用
  • 批准号:
    03650544
  • 财政年份:
    1991
  • 资助金额:
    $ 3.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)

相似国自然基金

基于氮化铝绝缘层的多晶铝-锡共掺杂氧化铟薄膜晶体管研究
  • 批准号:
    62304090
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
基于大尺寸范德瓦尔斯材料缓冲层的氮化铝单晶薄膜生长行为研究
  • 批准号:
    52273271
  • 批准年份:
    2022
  • 资助金额:
    56 万元
  • 项目类别:
    面上项目
高透过率大尺寸氮化铝单晶衬底制备
  • 批准号:
    62234003
  • 批准年份:
    2022
  • 资助金额:
    283 万元
  • 项目类别:
    重点项目
氮化铝兰姆波谐振式热红外探测器及其超低功耗应用研究
  • 批准号:
    62174092
  • 批准年份:
    2021
  • 资助金额:
    57 万元
  • 项目类别:
    面上项目
相干脉冲泵浦K-波段氮化铝绿光微腔光频梳的研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2021
  • 资助金额:
    58 万元
  • 项目类别:
    面上项目

相似海外基金

CAREER: Ultrawide Bandgap Aluminum Nitride FETs for Power Electronics
职业:用于电力电子器件的超宽带隙氮化铝 FET
  • 批准号:
    2338604
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 3.58万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
Infrared photonics using ferroelectric scandium-aluminum nitride semiconductors
使用铁电钪铝氮化物半导体的红外光子学
  • 批准号:
    2414283
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 3.58万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
Controlling the polarity of ScAlN via formation of cation/anion vacancy
通过形成阳离子/阴离子空位来控制 ScAlN 的极性
  • 批准号:
    21K04168
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 3.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
CAREER:Doped Aluminum Nitride Ferroelectric Microelectromechanical Systems
职业:掺杂氮化铝铁电微机电系统
  • 批准号:
    1944248
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 3.58万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
Ultra-high performance and environment-friendly micro-energy harvesters towards self-powered micro/nano-systems for the Internet of Things
超高性能、环保型微能量收集器,面向物联网自供电微/纳米系统
  • 批准号:
    20K15146
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 3.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了