Development of macro-nano combined growth method for energy saving

节能宏观纳米联合生长方法的开发

• 批准号: 24360012
• 负责人: KAKIMOTO Koichi
• 金额: $ 11.56万
• 依托单位: Kyushu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24360012/
• 关键词: 昇華法; ワイドバンドギャップ; SiC; 結晶成長; シリコンカーバイド; 転位; 残留応力; 結晶性長; 3次元解析

项目成果

Dislocation-density-based modeling of the plastic behavior of 4H-SiC single crystals using the Alexander-Haasen model

使用 Alexander-Haasen 模型基于位错密度对 4H-SiC 单晶塑性行为进行建模

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.10.023
• 发表时间: 2014
• 影响因子: 1.8
• 作者: B. Gao; K.Kakimoto
• 通讯作者: K.Kakimoto

Molecular dynamics simulation of graphene growth by surface decomposition of 6H-SiC(0001).

6H-SiC(0001)表面分解石墨烯生长的分子动力学模拟。

• DOI: 10.7567/jjap.53.065601
• 发表时间: 2014
• 影响因子: 1.5
• 作者: Ryosuke Iguchi; Takahiro Kawamura; Yasuyuki Suzuki; Masato Inoue; Yoshihiro Kangawa; Koichi Kakimoto
• 通讯作者: Koichi Kakimoto

Highly efficient and stable implementation of the Alexander-Haasen model for numerical analysis of dislocationin crystalgrowth

高效稳定地实现用于晶体生长中位错数值分析的 Alexander-Haasen 模型

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.01.039
• 发表时间: 2013
• 影响因子: 1.8
• 作者: B. Gao n; S.Nakano;K.Kakimoto
• 通讯作者: K.Kakimoto

二次元核形成理論を用いたSiC昇華法成長における多形安定性の非定常解析

利用二维成核理论对 SiC 升华生长的多晶型稳定性进行非稳态分析

• 发表时间: 2014
• 作者: 荒木清道;高冰;中野智;西澤伸一;柿本浩一
• 通讯作者: 柿本浩一

SiC crystal growth of electrical and optical devices

电学和光学器件的 SiC 晶体生长

• 发表时间: 2015
• 作者: K. Kakimoto