3D stacked assembly of SiC cascode power devices
SiC 共源共栅功率器件的 3D 堆叠组件
基本信息
- 批准号：17H03214
- 负责人：
- 金额：$ 11.23万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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Extremely Low ON-Resistance SiC Cascode Configuration Using Buried-Gate Static Induction Transistor
使用埋栅静态感应晶体管的极低导通电阻 SiC 共源共栅配置
- DOI：10.1109/led.2018.2878933
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：4.9
- 作者：Koi Yano; Yasunori Tanaka;Masayuki Yamamoto
- 通讯作者：Masayuki Yamamoto
Stress test of cascode switch using SiC static induction transistor
使用SiC静电感应晶体管的共源共栅开关的应力测试
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Matsumoto; Y. Tanaka; K. Yano
- 通讯作者：K. Yano
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