Two-dimensional characterization of degradation mechanism in metal/wide-bandgap semiconductor contacts by scanning internal photoemission microscopy
通过扫描内部光电显微镜对金属/宽带隙半导体接触中的退化机制进行二维表征
基本信息
- 批准号：15K05981
- 负责人：
- 金额：$ 3.24万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
ニードル式マイクロディスペンサを用いたナノインク描画と焼結により形成された銀電極の各種基板上での電気的特性の評価
使用针式微分配器在各种基材上纳米墨水拉丝和烧结形成的银电极的电性能评估
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：柏木行康;斉藤大志;長谷川貴洋;千金正也;塩島謙次;垣内宏之
- 通讯作者：垣内宏之
Development of dual-focus scanning internal photoemission microscopy for mapping of both top and rear surfaces of 3C-SiC layers
开发用于 3C-SiC 层顶面和后表面测绘的双焦点扫描内部光电显微镜
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Shiojima; N. Ichikawa;M. Kato
- 通讯作者：M. Kato
界面顕微光応答法による金属/半導体、半導体/半導体界面の2次元評価
使用界面显微光响应方法对金属/半导体和半导体/半导体界面进行二维评估
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：塩島 謙次
- 通讯作者：塩島 謙次
界面顕微光応答法によるNi/n-GaNの界面反応の二次元評価
使用界面微光响应方法二维评估 Ni/n-GaN 界面反应
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：纐纈 悠貴;塩島 謙次
- 通讯作者：塩島 謙次
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Effects of surface treatment and annealing for Au/Ni/n-GaN Schottky barrier diodes
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- 影响因子：1.5
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Shiojima Kenji
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- 作者：
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Tamai Toshiyuki
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