Low Temperature and Non-Vacuum Bonding of Wide Bandgap Semiconductor Materials by VUV/Vapor-Assisted Method

VUV/蒸汽辅助法宽带隙半导体材料的低温非真空键合

基本信息

批准号：
26289112
负责人：
Shigetou Akitsu
金额：
$ 10.48万
依托单位：
National Institute for Materials Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-01 至 2018-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Vacuum Ultraviolet (VUV) and Vapor-Combined Surface Modification for Hybrid Bonding of SiC, GaN, and Si Substrates at Low Temperature

用于低温 SiC、GaN 和 Si 衬底混合键合的真空紫外线 (VUV) 和蒸汽组合表面改性

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
A. Shigetou; J. Mizuno;S. Shoji
通讯作者：
S. Shoji

Hybrid Bonding Technology at Low Temperature and Atmospheric Pressure for Multi-Field Applications

适用于多领域应用的低温常压混合键合技术

DOI：
10.5104/jiep.19.120
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
重藤暁津　梶原優介
通讯作者：
重藤暁津　梶原優介

低温大気圧による有機無機材料ハイブリッド化

利用低温大气压进行有机-无机材料的杂化

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
重藤暁津
通讯作者：
重藤暁津

Low temperature direct bonding of PEEK and Pt through VUV/FAB surface treatments

通过 VUV/FAB 表面处理实现 PEEK 和 Pt 的低温直接键合

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
W. Fu; A. Shigetou; S. Shoji ;J. Mizuno
通讯作者：
J. Mizuno

SiCならびにGaNの低温大気圧

SiC和GaN的低温大气压

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
重藤暁津
通讯作者：
重藤暁津

DOI：
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Shigetou Akitsu其他文献

Systematic studies for improving device performance of quantum well infrared stripe photodetectors

提高量子阱红外条纹光电探测器器件性能的系统研究

DOI：
10.1515/nanoph-2020-0095
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
7.5
作者：
Hainey Mel F.;Mano Takaaki;Kasaya Takeshi;Ochiai Tetsuyuki;Osato Hirotaka;Watanabe Kazuhiro;Sugimoto Yoshimasa;Kawazu Takuya;Arai Yukinaga;Shigetou Akitsu;Miyazaki Hideki T.
通讯作者：
Miyazaki Hideki T.

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Near-field resonant photon sorting applied: dual-band metasurface quantum well infrared photodetectors for gas sensing

应用近场共振光子分选：用于气体传感的双波段超表面量子阱红外光电探测器

DOI：
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发表时间：
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DOI：
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通讯作者：
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