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Highly reliable GaN power device fabricated using supercritical water
使用超临界水制造的高可靠性 GaN 功率器件
基本信息
- 批准号：16H04332
- 负责人：
- 金额：$ 10.73万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Estimation of charge effects of ultrafine channel utilizing junctionless transistor with nanodot-type floating gate
- DOI：10.7567/jjap.56.03bb05
- 发表时间：2017-02
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：T. Ban;S. Migita;M. Uenuma;N. Okamoto;Y. Ishikawa;Y. Uraoka;I. Yamashita;Shin-ichi Yamamoto
- 通讯作者：T. Ban;S. Migita;M. Uenuma;N. Okamoto;Y. Ishikawa;Y. Uraoka;I. Yamashita;Shin-ichi Yamamoto
Consideration of Temperature Correction of Open Circuit Voltage Calculated from EL Intensity for Outdoor Measurement
户外测量中EL强度计算开路电压温度修正的思考
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Daisuke Kobayashi;Takuya Oshima;Kazuki Noguchi;Yasuaki Ishikawa;and Yukiharu Uraoka
- 通讯作者：and Yukiharu Uraoka
Control of the interface and the film quality of SiO2 / GaN MOS by high pressure water vapor annealing
高压水蒸气退火控制SiO2/GaN MOS界面及薄膜质量
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yuta Tominaga;Katsunori Ueno;Koji Yoshitsugu;Uenuma Mutsunori;Yuta Fujimoto;Yasuaki Ishikawa;Yukiharu Uraoka
- 通讯作者：Yukiharu Uraoka
Solution-derived SiO2 gate insulator formed by CO2 laser annealing for polycrystalline silicon thin-film transistors
- DOI：10.7567/jjap.56.056503
- 发表时间：2017-05-01
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Hishitani, Daisuke;Horita, Masahiro;Uraoka, Yukiharu
- 通讯作者：Uraoka, Yukiharu
Leakage reduction of SiO2/GaN MOS structure by high pressure water vapor annealing
高压水蒸气退火减少SiO2/GaN MOS结构的漏电
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Lin Tengda;Mutsunori Uenuma;Yasuaki Ishikawa;and Yukiharu Uraoka
- 通讯作者：and Yukiharu Uraoka
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$ 10.73万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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- 批准号：
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