パワー半導体デバイスの寿命と性能を最大限活かせる駆動回路設計手法の確立

建立最大化功率半导体器件寿命和性能的驱动电路设计方法

基本信息

  • 批准号:
    23K13313
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.91万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 财政年份:
    2023
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2023-04-01 至 2026-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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  • 发表时间:
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  • 影响因子:
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パワーデバイス応用に向けたGaNの点欠陥制御および絶縁膜界面制御の第一原理計算
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