Formation and characterization of La2O3 gate dielectrics formed using by metalorganic CVD

使用金属有机 CVD 形成 La2O3 栅极电介质的形成和表征

• 批准号: 19760219
• 负责人: MURAKAMI Hideki
• 金额: $ 2.27万
• 依托单位: Hiroshima University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19760219/
• 关键词: 有機金属錯体; ゲート絶縁膜; 高誘電率絶縁膜; ALCVD; 高誘電率ゲート絶縁膜; MOCVD

La(TMOD)3を用いて、Pt層上にLa酸化膜を堆積し、XPSを用いて化学構造を評価した。La(TMOD)3とO2を同時供給した場合(O2分圧:〜60Pa)、La酸化膜厚は、基板温度の上昇および堆積時間の増加に伴い、増大する。O2の同時供給を行わず基板温度200℃でLa酸化膜を堆積した場合、供給時間に依らず、La酸化膜厚は一定であり、前駆体の飽和吸着が確認された。また、飽和吸着後、150℃以上のO2アニールにより、La酸化膜表面を終端しているCOxHyおよび膜中残留炭素の除去に有効であることが分かった。La(TMOD)3による飽和吸着とO2アニールを交互に繰り返すことで、原子層レベルでの膜厚制御が可能であることが示唆された。

使用 La(TMOD)3 在 Pt 层上沉积 La 氧化膜，并使用 XPS 评估其化学结构。当同时供应La(TMOD)3和O2时（O2分压：~60 Pa），La氧化膜厚度随着基板温度和沉积时间的增加而增加。当在200℃的基板温度下沉积La氧化膜而不同时供应O 2 时，La氧化膜的厚度与供应时间无关而恒定，并且证实了前体的饱和吸附。此外，发现饱和吸附后，在150℃或更高温度下进行O2退火对于去除La氧化膜表面的COxHy和膜中残留的碳是有效的。有人提出，通过交替重复饱和吸附与La(TMOD)3 和O2 退火，可以在原子层水平控制膜厚。

项目成果

La(TMOD)3を用いたMOCVDによるLa酸化薄膜の形成

使用 La(TMOD)3 通过 MOCVD 形成 La 氧化物薄膜

• 发表时间: 2009
• 作者: 大野宗一;松浦清隆;大野宗一;大野宗一;要垣内亮,大田晃生,村上秀樹,東清一郎,宮崎誠一
• 通讯作者: 要垣内亮,大田晃生,村上秀樹,東清一郎,宮崎誠一

La(TMOD)_3を用いたMOCVDによるLa酸化薄膜の形成

使用 La(TMOD)_3 通过 MOCVD 形成 La 氧化物薄膜

• 发表时间: 2009
• 作者: 要垣内亮;大田晃生;村上秀樹;東清一郎;宮崎誠一
• 通讯作者: 宮崎誠一

La-Oxide Thin Films Formed by MOCVD Using La(TMOD)3

使用 La(TMOD)3 通过 MOCVD 形成 La-氧化物薄膜

• 发表时间: 2008
• 作者: R. Yougauchi;A. Ohta;H. Murakami;S. Higashi;S. Miyazaki
• 通讯作者: S. Miyazaki

La-DPM錯体を用いたMOCVDによるLa系酸化薄膜形成とNH3熱処理効果

利用La-DPM络合物和NH3热处理效应通过MOCVD形成La基氧化物薄膜

• 发表时间: 2007
• 作者: R. Yougauchi;A. Ohta;Y. Munetaka;H. Murakami;S. Higashi;S. Miyazaki;要垣内亮,大田晃生,宗高勇気,村上秀樹,東清一郎,宮崎誠一
• 通讯作者: 要垣内亮,大田晃生,宗高勇気,村上秀樹,東清一郎,宮崎誠一

La-Oxide Thin Films Formed by MOCVD Using La(TMOD)_3

使用 La(TMOD)_3 通过 MOCVD 形成 La-氧化物薄膜

• 发表时间: 2008
• 作者: R. Yougauchi;A. Ohta;H. Murakami;S. Higashi;S. Miyazaki
• 通讯作者: S. Miyazaki