Universal gate stack for 2D layered channel

适用于 2D 分层沟道的通用栅极堆叠

基本信息

批准号：
16H04343
负责人：
Nagashio Kosuke
金额：
$ 10.82万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

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专利数量（0）

Graphene field-effect transistor application-electric band structure of graphene in transistor structure extracted from quantum capacitance

石墨烯场效应晶体管应用——从量子电容中提取石墨烯在晶体管结构中的电带结构

DOI：
10.1557/jmr.2016.366
发表时间：
2017
期刊：
J. Mater. Res
影响因子：
0
作者：
T. Gyakushi;Y. Asai;A. Tsurumaki-Fukuchi;M. Arita;Y. Takahashi;Nagashio Kosuke
通讯作者：
Nagashio Kosuke

東大マテリアル・長汐研

东京大学材料/长潮实验室

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Band tail interface states and quantum capacitance in a monolayer molybdenum disulfide field-effect-transistor

DOI：
10.1088/1361-6463/aaa58c
发表时间：
2018-02-14
期刊：
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
影响因子：
3.4
作者：
Fang, Nan;Nagashio, Kosuke
通讯作者：
Nagashio, Kosuke

"Interface engineerign for 2D electronics",

“二维电子学接口工程”，

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Arita;A. Tsurumaki-Fukuchi;Y. Takahashi;Z. Wei;S. Muraoka;S. Ito;S. Yoneda;K. Nagashio,
通讯作者：
K. Nagashio,

２次元原子層半導体における層状ヘテロ界面の理解と制御

二维原子层半导体层状异质界面的理解和控制

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Arita;A. Tsurumaki-Fukuchi;Y. Takahashi;K. Nagashio;長汐晃輔
通讯作者：
長汐晃輔

DOI：
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作者：
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Nagashio Kosuke其他文献

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利用电子束全息技术对功能材料进行应用分析

DOI：
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
0
作者：
Sato Yuichiro;Nishimura Tomonori;Duanfei Dong;Ueno Keiji;Shinokita Keisuke;Matsuda Kazunari;Nagashio Kosuke;N. Murakami;山本和生
通讯作者：
山本和生

金属電極とのバリアハイトを考慮した極薄h-BNの絶縁性評価

考虑势垒高度的金属电极超薄h-BN绝缘评估

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hattori Yoshiaki;Taniguchi Takashi;Watanabe Kenji;Nagashio Kosuke;Y. Hattori;Y. Hattori;服部吉晃,谷口尚,渡邉健司,長汐晃輔
通讯作者：
服部吉晃,谷口尚,渡邉健司,長汐晃輔

ドデカボレート-グルコース複合体の合成とホウ中性子補足療法への応用

十二硼酸-葡萄糖络合物的合成及其在硼中子补充治疗中的应用

DOI：
发表时间：
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期刊：
影响因子：
0
作者：
Maruyama Mina;Nagashio Kosuke;Okada Susumu;桑田淳司・山神将大・森原　聡・藤本卓也・金平典之・道上宏之・高口　豊・田嶋智之
通讯作者：
桑田淳司・山神将大・森原　聡・藤本卓也・金平典之・道上宏之・高口　豊・田嶋智之

Layered materials for electronics

电子器件用层状材料

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hattori Yoshiaki;Taniguchi Takashi;Watanabe Kenji;Nagashio Kosuke;Y. Hattori
通讯作者：
Y. Hattori

"Two-dimensional tunnel FET"

“二维隧道FET”

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Matsuoka Ryota;Toyoda Ryojun;Shiotsuki Ryo;Fukui Naoya;Wada Keisuke;Maeda Hiroaki;Sakamoto Ryota;Sasaki Sono;Masunaga Hiroyasu;Nagashio Kosuke;Nishihara Hiroshi;K. Nagashio;K. Nagashio
通讯作者：
K. Nagashio