Direct growth of graphene on h-BN using the Cu vapor
使用 Cu 蒸气在 h-BN 上直接生长石墨烯
基本信息
- 批准号：16K14446
- 负责人：
- 金额：$ 2.33万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（29）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Crystalline Graphdiyne Nanosheets Produced at a Gas/Liquid or Liquid/Liquid Interface
- DOI：10.1021/jacs.6b12776
- 发表时间：2017-03-01
- 期刊：
- 影响因子：15
- 作者：Matsuoka, Ryota;Sakamoto, Ryota;Nishihara, Hiroshi
- 通讯作者：Nishihara, Hiroshi
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Nagashio Kosuke其他文献
電子線ホログラフィーによる機能性材料の応用解析
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- DOI：
- 发表时间：
2023 - 期刊：
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山本和生
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考虑势垒高度的金属电极超薄h-BN绝缘评估
- DOI：
- 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：0
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服部吉晃,谷口尚,渡邉健司,長汐晃輔
ドデカボレート-グルコース複合体の合成とホウ中性子補足療法への応用
十二硼酸-葡萄糖络合物的合成及其在硼中子补充治疗中的应用
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Maruyama Mina;Nagashio Kosuke;Okada Susumu;桑田淳司・山神将大・森原 聡・藤本卓也・金平典之・道上宏之・高口 豊・田嶋智之 - 通讯作者：
桑田淳司・山神将大・森原 聡・藤本卓也・金平典之・道上宏之・高口 豊・田嶋智之
Layered materials for electronics
电子器件用层状材料
- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Hattori Yoshiaki;Taniguchi Takashi;Watanabe Kenji;Nagashio Kosuke;Y. Hattori - 通讯作者：
Y. Hattori
"Two-dimensional tunnel FET"
“二维隧道FET”
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Matsuoka Ryota;Toyoda Ryojun;Shiotsuki Ryo;Fukui Naoya;Wada Keisuke;Maeda Hiroaki;Sakamoto Ryota;Sasaki Sono;Masunaga Hiroyasu;Nagashio Kosuke;Nishihara Hiroshi;K. Nagashio;K. Nagashio - 通讯作者：
K. Nagashio
Nagashio Kosuke的其他文献
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{{ truncateString('Nagashio Kosuke', 18)}}的其他基金
Demonstration of piezoelectric properties of novel 2D materials toward energy harvesting
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- 批准号：
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Universal gate stack for 2D layered channel
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$ 2.33万 - 项目类别：
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2D 材料的精密干法蚀刻：2DETCH
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EP/Z531121/1 - 财政年份：2024
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Research Grant
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- 批准号：
24KF0088 - 财政年份：2024
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$ 2.33万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
非線形分光法による2次元原子層材料六方晶窒化ホウ素の高効率発光へのアプローチ
利用非线性光谱实现二维原子层材料六方氮化硼高效发光的方法
- 批准号：
23K23243 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.33万 - 项目类别：
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Exploring Topological States in 2D Magnetic Materials
探索二维磁性材料的拓扑状态
- 批准号：
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- 资助金额：
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Studentship