Development of new diamond electron device using huge polarization charge
利用巨大极化电荷开发新型金刚石电子器件
基本信息
- 批准号：25249054
- 负责人：
- 金额：$ 28.95万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（44）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
E and D-modes Diamond MOSFETs
E 和 D 模式金刚石 MOSFET
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：李忠賢;魯辞莽;田畑俊行;西村知紀;長汐晃輔;鳥海明;Y. Ma and Y. Yamao;Y. Koide
- 通讯作者：Y. Koide
ＡｌＮ／ダイヤモンドヘテロ接合ＦＥＴとＭＥＭＳスイッチ
AlN/金刚石异质结 FET 和 MEMS 开关
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Nishiumi;K. Yamashita;H. Tanaka;M. Noda;小出 康夫，廖 梅勇，井村 将隆
- 通讯作者：小出 康夫，廖 梅勇，井村 将隆
Interfacial electronic band alignment of Ta2O5/hydrogen-terminated diamond heterojunction determined by X-ray photoelectron spectroscopy
- DOI：10.1016/j.diamond.2013.06.005
- 发表时间：2013-09
- 期刊：
- 影响因子：4.1
- 作者：Jiangwei Liu;Shaoheng Cheng;M. Liao;M. Imura;A. Tanaka;H. Iwai;Y. Koide
- 通讯作者：Jiangwei Liu;Shaoheng Cheng;M. Liao;M. Imura;A. Tanaka;H. Iwai;Y. Koide
Diamond Field Effect Transisot, Deep-UV sensor, and MEMS Devices
金刚石场效应 Transisot、深紫外传感器和 MEMS 器件
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：C.H. Lee;T. Nishimura;T. Tabata;K. Nagashio;and A. Toriumi;Y. Matsushita;T. Taniguchi and Y. Karasawa;Y. Koide
- 通讯作者：Y. Koide
III-Nitrides and Diamond Devices
III-氮化物和金刚石器件
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：久野伸晃;森本勇樹;唐沢好男;Y. Koide
- 通讯作者：Y. Koide
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