Development of novel fabrication process of amorphous oxide semiconductor using field effect

利用场效应开发非晶氧化物半导体新型制造工艺

基本信息

批准号：
18K13990
负责人：
Keisuke Ide
金额：
$ 2.66万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2018
资助国家：
日本
起止时间：
2018-04-01 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18K13990/
关键词：
アモルファス酸化物半導体電界効果トランジスタ欠陥制御

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（23）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Effects of base pressure on optoelectronic properties of amorphous In-Ga-Zn-O

基础压力对非晶In-Ga-Zn-O光电性能的影响

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Ide;K. Takenaka;Y. Setsuhara;A. Hiraiwa;H. Kawarada;T. Katase;H. Hiramatsu;H. Hosono;T. Kamiya
通讯作者：
T. Kamiya

アモルファス酸化ガリウムを用いたショットキーバリアダイオード特性と光応答

非晶氧化镓肖特基势垒二极管的特性和光响应

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
笠井悠莉華;井手啓介;片瀬貴義;平松秀典;細野秀雄;神谷利夫
通讯作者：
神谷利夫

Direct-current driven electroluminescent device with amorphous oxide semiconductor thin-film phosphor

非晶氧化物半导体薄膜荧光粉直流驱动电致发光器件

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yurika Kasai;Keisuke Ide;Takayoshi Katase;Hidenori Hiramatsu;Hideo Hosono;Toshio Kamiya;G. F. Harrington;K. Ide
通讯作者：
K. Ide

Hydrogen doping and carrier transport properties of amorphous Ga-O

非晶Ga-O的氢掺杂和载流子传输特性

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yurika Kasai;Keisuke Ide;Takayoshi Katase;Hidenori Hiramatsu;Hideo Hosono;Toshio Kamiya
通讯作者：
Toshio Kamiya

Effects of impurity hydrogen in amorphous In-Ga-Zn-O: ultralow optimum oxygen supply for ultrahigh vacuum sputtering and bandgap widening by impurity hydrogen

非晶In-Ga-Zn-O中杂质氢的影响：超高真空溅射的超低最佳供氧量和杂质氢的禁带宽度

DOI：
10.1002/pssa.201700832
发表时间：
2018
期刊：
Physica Status Solidi (a)
影响因子：
0
作者：
Keisuke Ide;Kyohei Ishikawa;Haochun Tang;Takayoshi Katase;Hidenori Hiramatsu;Hideya Kumomi;Hideo Hosono;and Toshio Kamiya
通讯作者：
and Toshio Kamiya

DOI：
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Keisuke Ide其他文献

Expansion of Ba and Ca solubility limit into SrSi2 thin film and their thermoelectric properties

Ba和Ca溶解度极限扩展到SrSi2薄膜及其热电性能

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kodai Aoyama;Takao Shimizu;Hideto Kuramochi;Masami Mesuda;Ryo Akiike;Keisuke Ide;Takayoshi Katase;Toshio Kamiya;Yoshisato Kimura;and Hiroshi Funakubo
通讯作者：
and Hiroshi Funakubo

Structural phase transition and opto-electronic properties of oxide semiconductor solid solution, (Ba,Sr)(Sn,Ti)O3

氧化物半导体固溶体(Ba,Sr)(Sn,Ti)O3的结构相变及光电性质

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yutaro Kobayashi;Keisuke Ide;Takayoshi Katase;Hidenori Hiramatsu;Hideo Hosono;and Toshio Kamiya
通讯作者：
and Toshio Kamiya

Enhanced thermoelectric power-factors by strain control in strongly correlated lanthanum titanate

通过强相关钛酸镧应变控制增强热电功率因数

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Takayoshi Katase;Keisuke Ide;Hidenori Hiramatsu;Hideo Hosono;and Toshio Kamiya
通讯作者：
and Toshio Kamiya

Exploration of new oxide light-emitting semiconductor thin films using transition metals

利用过渡金属探索新型氧化物发光半导体薄膜

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yuki Futakado;Naoto Watanabe;Keisuke Ide;Junghwan Kim;Takayoshi Katase;Hidenori Hiramatsu;Hideo Hosono and Toshio Kamiya
通讯作者：
Hideo Hosono and Toshio Kamiya

LaおよびLu共添加Si3N4セラミックスにおける結晶粒界のSTEM観察

La、Lu共掺Si3N4陶瓷晶界的STEM观察

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Masato Ota;Keisuke Ide;Takayoshi Katase;Masato Sasase;Hidenori Hiramatsu;Hideo Hosono and Toshio Kamiya;浦上亮介，佐藤幸生，大串将巧，西山武志，山田和広，寺西亮，北山幹人，金子賢治
通讯作者：
浦上亮介，佐藤幸生，大串将巧，西山武志，山田和広，寺西亮，北山幹人，金子賢治