Study on light emitting diode for lighting controlling the luminous intensity distribution by nano-photonics structures
纳米光子结构控制发光强度分布的照明用发光二极管研究
基本信息
- 批准号:18360008
- 负责人:
- 金额:$ 9.15万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2006
- 资助国家:日本
- 起止时间:2006 至 2008
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究ではLEDが真に照明デバイスとして用いられるために必要な配光制御を検討し、照明に適したLEDの実現を目指す。その結果、選択成長技術を利用して、高品質なAlGaNエピタキシャル層やAlNバルク単結晶を得ることができ、高い発光効率を有する照明用LEDを作製するために必要な基板結晶を得るための見通しを得ることができた。また、LEDの取り出し効率の改善や配光制御を行うためにAlGaNのフォトニック結晶や光学フィルムを用いた回折レンズを作製し、これらの光学素子が照明用LEDの高性能化のために有効な技術であることを示した。
这项研究研究了将LED用作真正的照明设备所需的光分配控制,并旨在实现适合照明的LED。结果,可以使用选择性生长技术获得高质量的α外延层和ALN散装单晶,并且可以获得具有高发光效率的照明LED所需的底物晶体的前景。此外,制造了使用光子晶体和Algan的光学膜的衍射镜片,以提高LED提取和控制光分布的效率,并证明这些光学元素是改善LED性能以提高照明的有效技术。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Optical characterization of Japanese papers for application to theLEDlightning system wit hhuman sensitivity
日本论文的光学特性应用于具有人类敏感性的 LED 照明系统
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A.Motogaito;K.Manabe;Y.Yamanaka;N.Machida;H.Miyake and K.Hiramatsu
- 通讯作者:H.Miyake and K.Hiramatsu
High temperature growth of AlN film by LP-HVPE
- DOI:10.1002/pssc.200674814
- 发表时间:2007-06
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Tsujisawa;S. Kishino;Yuhuai Liu;H. Miyake;K. Hiramatsu;T. Shibata;Mutsuhiro Tanaka
- 通讯作者:K. Tsujisawa;S. Kishino;Yuhuai Liu;H. Miyake;K. Hiramatsu;T. Shibata;Mutsuhiro Tanaka
High temperature growth of AIN film by LP-HVPE
LP-HVPE 高温生长 AIN 薄膜
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Tsujisawa;S. Kishino;Y.H. Liu;H.Miyake;K. Hiramatsu;T. shibata;M. tanaka
- 通讯作者:M. tanaka
Fabrication of a Binary Diffractive Lens for Controlling the Luminous Intensity Distribution of LED Light
用于控制 LED 光强度分布的二元衍射透镜的制造
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A. Motogaito;N. Machida;T. Morikawa;K. Manabe;H. Miyake;K. Hiramatsu
- 通讯作者:K. Hiramatsu
Improved optical properties of AlGaN using periodic structures
使用周期性结构改善 AlGaN 的光学特性
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H.Miyake;T.Ishii;A.Motogaito and K.Hiramatsu
- 通讯作者:A.Motogaito and K.Hiramatsu
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Study on localized surface plasmon resonance on III-nitride semiconduvtors in deep-UV region
深紫外区III族氮化物半导体局域表面等离子体共振研究
- 批准号:
25600090 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 9.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Nano-void epitaxy of III-nitride semiconductors and controlling light emitting properties of deep-UV light
III族氮化物半导体纳米空隙外延及深紫外光发光特性控制
- 批准号:
24360008 - 财政年份:2012
- 资助金额:
$ 9.15万 - 项目类别:
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- 批准号:
21360007 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 9.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Controlling of UV light by using III-nitride based photonic crystals with nano-antenna
使用带有纳米天线的III族氮化物光子晶体控制紫外光
- 批准号:
15360008 - 财政年份:2003
- 资助金额:
$ 9.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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- 批准号:
11555094 - 财政年份:1999
- 资助金额:
$ 9.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Fabrication of Buried Metal Structure and Reduction of Dislocation Density for Nitride Semiconductors by Selective Area Growth Technique
选择性区域生长技术制备氮化物半导体埋入金属结构并降低位错密度
- 批准号:
11450012 - 财政年份:1999
- 资助金额:
$ 9.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
相似海外基金
量子ドットと発光ポリマーの協同作用を用いたハイブリッド発光ダイオードの研究
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- 批准号:
21K04153 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 9.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
自己触媒成長技術によるシリコン基板上新規ナノワイヤ構造・レーザーデバイスの創出
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- 批准号:
21H01834 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 9.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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- 批准号:
24560377 - 财政年份:2012
- 资助金额:
$ 9.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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- 批准号:
24310106 - 财政年份:2012
- 资助金额:
$ 9.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Realization of silicon LEDs with photonic nanocavities and improvement of their efficiencies
具有光子纳米腔的硅 LED 的实现及其效率的提高
- 批准号:
21686031 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 9.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)