Nano-void epitaxy of III-nitride semiconductors and controlling light emitting properties of deep-UV light

III族氮化物半导体纳米空隙外延及深紫外光发光特性控制

基本信息

批准号：
24360008
负责人：
HIRAMATSU Kazumasa
金额：
$ 12.4万
依托单位：
Mie University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量（0）

Selective Area Growth of Semipolar (20-21) and (20-2-1) GaN substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

通过金属有机气相外延选择性区域生长半极性 (20-21) 和 (20-2-1) GaN 衬底

DOI：
10.7567/jjap.52.08jc06
发表时间：
2013
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Daiki Jinno;Bei Ma;Hideto Miyake;Kazumasa Hiramatsu;Yuuki Enatsu; and Satoru Nagao
通讯作者：
and Satoru Nagao

Study of AlN growth conditions for hydride vapor phase epitaxy

氢化物气相外延AlN生长条件的研究

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
D. Yasui;H. Miyake;K. Hiramatsu and T. Kawamura
通讯作者：
K. Hiramatsu and T. Kawamura

Improvement of GaN Quality by Maskless Epitaxy of Lateral Overgrowth on 3C-SiC/Si substrates

通过 3C-SiC/Si 衬底上横向过度生长的无掩模外延提高 GaN 质量

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
H Fang;Y Takaya;H Miyake;K Hiramatsu;H Asamura;K Kawamura;H Oku
通讯作者：
H Oku

MOVPE法によるAlN成長におけるc面サファイア微傾斜角度の影響

c面蓝宝石微倾斜角对MOVPE法生长AlN的影响

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
鈴木周平;林家弘;三宅秀人;平松和政;福山博之
通讯作者：
福山博之

Stady on surface thermal stability of free-standing GaN substrates

自支撑式GaN衬底表面热稳定性研究

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Okada;H. Miyake;K. Hiramatsu;R. Miyagawa;O. Eryu and T. Hashizume
通讯作者：
O. Eryu and T. Hashizume

DOI：
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Study on localized surface plasmon resonance on III-nitride semiconduvtors in deep-UV region

深紫外区III族氮化物半导体局域表面等离子体共振研究

批准号：
25600090
财政年份：
2013
资助金额：
$ 12.4万
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

Creation of the modulated facet structures of III-nitride semiconductors and development of the white LEDs with wide and continuous wavelength spectra

III族氮化物半导体调制面结构的创建以及具有宽且连续波长光谱的白光LED的开发

批准号：
21360007
财政年份：
2009
资助金额：
$ 12.4万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Study on light emitting diode for lighting controlling the luminous intensity distribution by nano-photonics structures

纳米光子结构控制发光强度分布的照明用发光二极管研究

批准号：
18360008
财政年份：
2006
资助金额：
$ 12.4万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Controlling of UV light by using III-nitride based photonic crystals with nano-antenna

使用带有纳米天线的III族氮化物光子晶体控制紫外光

批准号：
15360008
财政年份：
2003
资助金额：
$ 12.4万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Development of New Electronic Emitters using GaN/AIN Super Lattice Structures with Negative Electron Affinity

使用具有负电子亲和势的 GaN/AlN 超级晶格结构开发新型电子发射器

批准号：
11555094
财政年份：
1999
资助金额：
$ 12.4万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Fabrication of Buried Metal Structure and Reduction of Dislocation Density for Nitride Semiconductors by Selective Area Growth Technique

选择性区域生长技术制备氮化物半导体埋入金属结构并降低位错密度

批准号：
11450012
财政年份：
1999
资助金额：
$ 12.4万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)