Study on localized surface plasmon resonance on III-nitride semiconduvtors in deep-UV region
深紫外区III族氮化物半导体局域表面等离子体共振研究
基本信息
- 批准号：25600090
- 负责人：
- 金额：$ 2.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（44）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
HVPE homoepitaxy on freestanding AlN substrate with trench pattern
- DOI：10.1002/pssc.201400202
- 发表时间：2015-04
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yoshinobu Watanabe;H. Miyake;K. Hiramatsu;Y. Iwasaki;S. Nagata
- 通讯作者：Yoshinobu Watanabe;H. Miyake;K. Hiramatsu;Y. Iwasaki;S. Nagata
Effects of threading dislocation on MOVPE growth of Si-doped AlN
穿透位错对Si掺杂AlN MOVPE生长的影响
- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：G. Nishio;H. Miyake and K. Hiramatsu
- 通讯作者：H. Miyake and K. Hiramatsu
エピタキシャル成長のためのGaN 自立基板サーマルクリーニング
用于外延生长的 GaN 独立式衬底热清洗
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：岡田俊祐;三宅秀人;平松和政;宮川鈴衣奈;江龍修;橋詰保
- 通讯作者：橋詰保
Influence of thermal annealing in N2-CO ambient on AlN buffer layer
N2-CO环境下热退火对AlN缓冲层的影响
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Suzuki;H. Miyake;K. Hiramatsu;and H. Fukuyama
- 通讯作者：and H. Fukuyama
Excitation of Surface Plasmon Polariton at the GaP-Au Interface in a High-Refractive-Index Medium
高折射率介质中 GaP-Au 界面表面等离子体激元的激发
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A. Motogaito;S. Nakamura;J. Miyazaki;H. Miyake and K. Hiramatsu
- 通讯作者：H. Miyake and K. Hiramatsu
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Nano-void epitaxy of III-nitride semiconductors and controlling light emitting properties of deep-UV light
III族氮化物半导体纳米空隙外延及深紫外光发光特性控制
- 批准号：
24360008 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Creation of the modulated facet structures of III-nitride semiconductors and development of the white LEDs with wide and continuous wavelength spectra
III族氮化物半导体调制面结构的创建以及具有宽且连续波长光谱的白光LED的开发
- 批准号：
21360007 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Study on light emitting diode for lighting controlling the luminous intensity distribution by nano-photonics structures
纳米光子结构控制发光强度分布的照明用发光二极管研究
- 批准号：
18360008 - 财政年份：2006
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Controlling of UV light by using III-nitride based photonic crystals with nano-antenna
使用带有纳米天线的III族氮化物光子晶体控制紫外光
- 批准号：
15360008 - 财政年份：2003
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of New Electronic Emitters using GaN/AIN Super Lattice Structures with Negative Electron Affinity
使用具有负电子亲和势的 GaN/AlN 超级晶格结构开发新型电子发射器
- 批准号：
11555094 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Fabrication of Buried Metal Structure and Reduction of Dislocation Density for Nitride Semiconductors by Selective Area Growth Technique
选择性区域生长技术制备氮化物半导体埋入金属结构并降低位错密度
- 批准号：
11450012 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
相似海外基金
二光子重合造形の深紫外領域への展開と応用
深紫外区双光子聚合模型的开发与应用
- 批准号：
20H00210 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Low-temperature drift tube experiments on the photoisomerization of interstellar molecules
星际分子光致异构化的低温漂移管实验
- 批准号：
18K18790 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
AlGaN/AlN量子井戸を用いた高効率深紫外発光素子の作製
利用AlGaN/AlN量子阱制备高效深紫外发光器件
- 批准号：
10F00368 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Study on gallium oxide-based deep ultraviolet light emitters
氧化镓基深紫外光发射器的研究
- 批准号：
19360007 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Novel Tools and Principles for Precisely Controlling Brain Activity
精确控制大脑活动的新工具和原理
- 批准号：
7430134 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：