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High performance light emitting diode by subwavelength grating
亚波长光栅高性能发光二极管
基本信息
- 批准号：24560377
- 负责人：
- 金额：$ 3.41万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Polarized Light Emission from Blue-LED with SiO2 Subwavelength Grating
带有 SiO2 亚波长光栅的蓝色 LED 的偏振光发射
- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Ryo Shimizu;Yuusuke Takashima and Yoshiki Naoi
- 通讯作者：Yuusuke Takashima and Yoshiki Naoi
Theoretical analysis for linerly polarized emission in UV-LED with subwavelength grating structure
亚波长光栅结构UV-LED线偏振发射理论分析
- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：吉田 智仁;野見山 輝明;堀江 雄二;加藤景三;Yoshiki Naoi
- 通讯作者：Yoshiki Naoi
Polarized emission characteristics of UV-LED with subwavelength grating
- DOI：10.7567/jjap.53.072101
- 发表时间：2014-06
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Y. Takashima;R. Shimizu;M. Haraguchi;Y. Naoi
- 通讯作者：Y. Takashima;R. Shimizu;M. Haraguchi;Y. Naoi
Siサブ波長回折格子/SiO2膜/LED構造を有する窒化物系偏光LED
硅亚波长衍射光栅/SiO2薄膜/LED结构氮化物偏光LED
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：高島 祐介;田邊 聖人;清水 亮;原口 雅宣;直井 美貴
- 通讯作者：直井 美貴
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NAOI Yoshiki其他文献
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{{ truncateString('NAOI Yoshiki', 18)}}的其他基金
Development of high performance LED with subwavelength nano structure
开发具有亚波长纳米结构的高性能LED
- 批准号：
18K04238 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 3.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Study on nitride-based semiconductor photonic devices with nano-imprint technique
纳米压印氮化物基半导体光子器件研究
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20560302 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 3.41万 - 项目类别：
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相似海外基金
強発光する無毒なペロブスカイト量子ドットの低コスト合成と発光ダイオードへの応用
高发光、无毒钙钛矿量子点的低成本合成及其在发光二极管中的应用
- 批准号：
24K01278 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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静态磁场/交变磁场感应-激发态光化学的深化和创新圆偏振发光器件的创建
- 批准号：
23H02040 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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- 批准号：
23K04879 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
多重極分子特性を活用した青色有機LEDの高性能化
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- 批准号：
22KJ2430 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
GaN IMPATTダイオードを用いた新規テラヘルツ光源の開発
使用 GaN IMPATT 二极管开发新型太赫兹光源
- 批准号：
22KJ1582 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows