Creation of Perfect Surfaces

创造完美表面

基本信息

  • 批准号:
    08CE2004
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1085.44万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for COE Research
  • 财政年份:
    1996
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1996 至 2002
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

"Perfect surfaces"are required in various areas of advanced technology and basic science. The objectives of the present research are to establish new ultra precision machining technology that can be used to create "perfect surfaces" with roughness less than 0.5nm PV and figure accuracy higher than 0.01μm PV for arbitrary shape, and to systematize the technology of ultra precision machining as a new paradigm of natural science.We have constructed Ultra Clean Room with the world's top performance and conducted researches in the following fields ; 1) development of new machining process ; 2) evaluation of machined surfaces and development of new-surface evaluation techniques ; 3) development of measurement and control technology for machining process ; and 4) theoretical study of machining mechanism.In the field 1), we have developed numerically controlled plasma chemical vaporization machining NC-PCVM) system, elastic emission machining (EEM) system, atmospheric pressure plasma chemical … More vapor deposition (AP-PCVD) process at high deposition rates, and hydroxyl electrochemical machining (HECM) process using pure water only. Ultra precision X-ray mirrors, ultra thin SOI wafers, Si thin film solar cells, and HECM damascene process are highlighted as several of numerous outcomes. An ultra precision measuring sytem of figure accuracy and an evaluation system for ultra precisely machined surfaces have been developed in 2), and a diagnostic system for atmospheric pressure plasma in 3). Based on calculated results by the originally developed first-principles methods, we have proposed HECM and clarified its machining mechanism in 4).In summary, we have achieved to create a "perfect surface" with the roughness of three atomic layers (in 0.1μm x 0.1μm area) and the figure accuracy of 1nm PV. Cooperating with outer institutes that need perfect surfaces, we have produced a scanning X-ray microscope system and ultra thin SOI devices. These achievements well surpassed the objectives at the beginning. Less
在高级技术和基础科学的各个领域都需要“完美的表面”。本研究的目的是建立新的超精确加工技术,可用于创建小于0.5nm PV的“完美表面”,以高于0.01μmPV的数字准确性,并将超精度加工的技术系统化为自然科学的新范式。 1)开发新的加工过程; 2)评估机加工表面和新地下评估技术的开发; 3)开发用于加工过程的测量和控制技术; 4)加工机制的理论研究。在现场1),我们已经开发了单独控制的血浆化学蒸发加工NC-PCVM)系统,弹性发射加工(EEM)系统,大气压力等离子化学…更多的蒸气沉积(AP-PCVD)在高降低速率和Hydroxy Eleptrochemical PertanroChemical Machinentic(Hecm Machinnination(Hecm Machination)的过程中,更多的蒸气(AP-PCVD)过程。超过精确的X射线镜,超薄SOI水域,Si薄膜太阳能电池和Hecm Damascene工艺被突出显示为众多结果。在2)中开发了一个超精确加工表面的图形精度和评估系统的超精度测量系统,以及3)的大气压力等离子体的诊断系统。基于最初开发的第一原理方法计算的结果,我们提出了HECM并阐明了其4)的加工机制。总而言之,我们已经创建了一个“完美的表面”,具有三个原子层的粗糙度(在0.1μmx0.1μm面积)和1NM PV的数字准确度。与需要完美表面的外部机构合作,我们制作了扫描X射线显微镜系统和超薄SOI设备。这些成就一开始就超过了目标。较少的

项目成果

期刊论文数量(509)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
青野正和: "ナノワイヤーの電気伝導"学術月報. 54. 989-995 (2001)
Masakazu Aono:“纳米线中的电传导”学术月报 54. 989-995 (2001)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Kobayashi: "Luminescence from Er-doped Si film grown by solid phase epitaxy"RIKEN Review. No.38. 23-25 (2001)
T.Kobayashi:“固相外延生长的掺铒硅薄膜的发光”RIKEN Review。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
後藤英和: "超純水のみによる電気化学的加工法の研究-加工現象の第一原理分子動力学シュミレーション-"精密工学会2001年度秋季大会学術講演会講演論文集. 224-224 (2001)
Hidekazu Goto:“仅使用超纯水的电化学加工研究 - 加工现象的第一原理分子动力学模拟 -”日本精密工程学会 2001 年秋季会议记录 224-224 (2001)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Yamazaki: "Mutual inductance of small solenoid coil equipped with scanning tunneling electron microscope"Materials Transactions. 42. 1705-1709 (2001)
T.Yamazaki:“配备扫描隧道电子显微镜的小型螺线管线圈的互感”材料交易。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
清水正男: "半導体素子保護用ポリイミド表面のプラズマ処理"精密工学会誌. 66・5. 725-729 (2000)
Masao Shimizu:“用于半导体器件保护的聚酰亚胺表面的等离子体处理”日本精密工程学会杂志66・5(2000)。
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    $ 1085.44万
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  • 资助金额:
    $ 1085.44万
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  • 批准号:
    04555035
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 1085.44万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
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    01460090
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  • 资助金额:
    $ 1085.44万
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  • 批准号:
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  • 财政年份:
    1989
  • 资助金额:
    $ 1085.44万
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    Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B).
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  • 资助金额:
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    387318746
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 1085.44万
  • 项目类别:
    Research Grants
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知道了