光電子-光イオン・コインシデンス測定法による表面光反応ダイナミックスの研究

光电子-光离子符合测量法研究表面光反应动力学

基本信息

批准号：
07228267
负责人：
間瀬一彦
金额：
$ 1.22万
依托单位：
Okazaki National Research Institutes
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1995
资助国家：
日本
起止时间：
1995 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

内殻電子の励起に起因するイオン脱離の研究は、萌芽的基礎科学として重要であるばかりでなく、1)気相液相の光反応ダイナミックス、2)サイト選択的光反応、3)宇宙、成層圏、加速器内壁などにおける高エネルギー粒子誘起反応など、関連研究に貢献する重要な分野である。我々は、表面内殻励起誘起イオン脱離の反応中間状態の解明、および反応の環境場依存性とその原因解明を目的として、電子-イオン・コインシデンス(EICO)測定を用いた研究を進めている。EICO測定は同一の励起過程によって表面から放出される電子とイオンを、電子エネルギーを選別し、イオン質量も選別して、同時に検出する手法である。光電子-光イオン・コインシデンス(PEPICO)測定によって内殻電子放出終状態を選別した光イオン収量の測定ができる。また、オージェ電子-光イオン・コインシデンス(AEPICO)測定によってオージェ終状態を選別した光イオン収量の測定ができる。軟X線光源としては分子研の軌道放射光施設、UVSORを用いた。Si(CH_3)_4とSiF_4の凝縮固体表面のPEPICO測定を行ない、1)Si(CH_3)_4ではSi2pあるいはCls内殻電子放出終状態を経由して、H^+が脱離する、2)SiF_4ではSi2p内殻電子放出終状態を経由して、F^+が脱離する。3)多原子イオンの中性化確率はH^+、F^+よりも大きい、などの知見を得た。また、H_2OおよびNH_3、ND_3の凝縮固体表面のAEPICO測定を行ない、1)O(あるいはN)(KVV)オージェ終状態を経由して、H^+が脱離する、2)O-H(あるいはN-H)結合性価電子軌道に空孔を持つオージェ終状態からH^+の脱離確率が大きい、3)NH_3、ND_3では一つの価電子軌道に二空孔が局在化したオージェ終状態からのH^+の脱離確率が大きい、4)D^+の中性化確率はH^+よりも2倍以上大きい、などの知見を得た。

对内壳电子的激发引起的离子混乱的研究不仅是发芽的基础科学，而且还很重要，也是1）热水瓶的喜悦的光反应动力学，2）位点选择性光反应，3）空间有助于相关研究的重要领域，例如高能颗粒，诱导地层和内壁反应。我们正在使用电子币硬币密度（EICO）测量进行研究，目的是阐明表面表面表面反应的中间状态，反应的环境依赖性及其原因。 EICO测量是一种通过相同的兴奋过程从表面释放的电子和离子，选择，选择并同时检测电子能。可以测量对内壳电子释放末端进行分类的光离子产量的光学电子离子硬币和平（PEPICO）测量。另外，可以测量可以测量OJE电子光硬币（APICO）选择OJE端状态的光离子产量。 UVSOR是分子机构的轨道辐射设施，用作软X射线光源。测量Si（CH_3）_4和SIF_4，1）SI（CH_3）_4的凝结固体表面的Pepico测量通过SI2P或Cls Inner壳电子释放，H^+叶子2）Sif_4，然后，通过SI2P内部内部f^+叶壳电子释放状态。 3）我知道原子离子的中和概率大于H^+和f^+。此外，通过O（KVV）O-H（或N-H）进行了凝结的固体表面的H_2O和NH_3和ND_3测量，1）O（kVv）O（KVV）（kVv）（kVv）（n-h）爆炸值势能从末端具有大孔孔的状态，H^+的位移概率很大，3）NH_3，ND_3 h，从Agee结束时，以一种有效的轨迹结束了一个现象。 ^+很大，中和概率为4）d^+的大于H^+的两倍以上。