Development of Quantum Integrated Hardwares based on Semiconductor Nanowires
基于半导体纳米线的量子集成硬件的开发
基本信息
- 批准号：19206031
- 负责人：
- 金额：$ 30.45万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2007
- 资助国家：日本
- 起止时间：2007 至 2009
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
We developed a formation method of high-density and highly uniform array of semiconductor nanowires to realize quantum integrated hardwares. In particular, fabrication and characterization of nanowire field-effect transistors (FETs) were charried out, and vertical nanowire FETs on Si substrates were demonstrated. We also proposed vertically-integrated logic circuits based on vertical FETs and investigated a method to laterally align nanowires for their high-density integration.
我们开发了一种半导体纳米线的高密度和高度均匀阵列的形成方法，以实现量子整合的硬件。特别是，纳莫线场效应晶体管（FET）的制造和表征被带出，并证明了Si底物上的垂直纳米线FET。我们还提出了基于垂直FET的垂直综合逻辑回路，并研究了一种使纳米线对其高密度整合的方法。
项目成果
期刊论文数量（88）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Crystallographic Structure of InAs Nanowires Studied by Transmission Electron Microscopy
- DOI：10.1143/jjap.46.l1102
- 发表时间：2007-11
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：K. Tomioka;J. Motohisa;S. Hara;T. Fukui
- 通讯作者：K. Tomioka;J. Motohisa;S. Hara;T. Fukui
Vertical III-V Nanowire Growth on Si Substrate by Selective-Area MOVPE
通过选择性区域 MOVPE 在硅衬底上垂直生长 III-V 纳米线
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Tomioka;et.al.
- 通讯作者：et.al.
Competitive Growth Process of Tetrahedrons and Hexagons during GaAs? Nanowire Formation by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy
GaAs 期间四面体和六边形的竞争生长过程？
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Hiruma;et.al.
- 通讯作者：et.al.
III-V semiconductor nanowires and nanotubes grown by selective area metalorganic vapor phase epitaxy
选区金属有机气相外延生长的 III-V 族半导体纳米线和纳米管
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：J. Motohisa;T. Fukui;and S. Hara
- 通讯作者：and S. Hara
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{{ truncateString('MOTOHISA Junichi', 18)}}的其他基金
Fabrication of nanowire-based light emitting nanodevices
基于纳米线的发光纳米器件的制造
- 批准号：
24360114 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 30.45万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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24656196 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 30.45万 - 项目类别：
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选择性区域金属有机气相外延制备光子晶体及其在器件中的应用
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- 资助金额：
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- 资助金额：
$ 30.45万 - 项目类别：
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