Mist CVD method for inorganic-organic perovskites solar-cell
无机-有机钙钛矿太阳能电池的雾气CVD法
基本信息
- 批准号:15H06343
- 负责人:
- 金额:$ 1.91万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
- 财政年份:2015
- 资助国家:日本
- 起止时间:2015-08-28 至 2017-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Solution-based mist CVD technique for CH3NH3Pb(Br1-xClx)3 inorganic-organic perovskites
CH3NH3Pb(Br1-xClx)3无机-有机钙钛矿的溶液雾气CVD技术
- DOI:10.7567/jjap.55.100308
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:青木恒介;鈴木啓道;中村英夫;松尾恵太郎;本村和也;大岡史治;椎名諭;山本高士;溝口昌弘;籾井泰朋;村垣善浩;眞田昌;宮野悟;若林俊彦;小川誠司;夏目敦至;Hiroyuki Nishinaka and Masahiro Yoshimoto
- 通讯作者:Hiroyuki Nishinaka and Masahiro Yoshimoto
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利用雾形成有机-无机钙钛矿材料的技术
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Atsushi Fujimoto;Kosuke Tsurumi;Ryosaku Kawada;Takuro Murao;Hideaki Takeuchi;Toshiya Murai;Hidehiko Takahashi;西中浩之,吉本昌広
- 通讯作者:西中浩之,吉本昌広
Solution based mist-CVD technique for hybrid organic-inorganic perovskite
基于溶液的雾化 CVD 技术用于有机-无机杂化钙钛矿
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Takeuchi H;Tsurumi K;Murao T;Takemura A;Kawada R;Urayama SI;Aso T,Sugihara GI;Miyata J;Murai T;Takahashi H.;西崎友規子,永井聖剛;松本 純明;Hiroyuki Nishinaka and Masahiro Yoshimoto
- 通讯作者:Hiroyuki Nishinaka and Masahiro Yoshimoto
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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- 影响因子:0
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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