Research on Polarization-Controlled Ultra-Wide Bandgap Semiconductor Devices

偏振控制超宽带隙半导体器件研究

基本信息

  • 批准号：
    19H02170
  • 负责人：
    Nishinaka Hiroyuki
  • 金额：
    $ 11.23万
  • 依托单位：
    Kyoto Institute of Technology
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2019
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2019-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（66）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Ga2O3 の中間準位を利用した p 型伝導に向けた検討
使用中间能级 Ga2O3 研究 p 型传导
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Y. Arata;H. Nishinaka;and M. Yoshimoto;西中浩之;西中浩之
  • 通讯作者：
    西中浩之
ミストCVD法を用いて(-201) β-Ga2O3基板上に成長したκ-Ga2O3薄膜の構造解析
采用雾气CVD法在(-201)β-Ga2O3衬底上生长的κ-Ga2O3薄膜的结构分析
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    梶田優気;西中浩之;新田 悠汰;吉本昌広
  • 通讯作者：
    吉本昌広
Bismuth-assisted effect for the growth of ε-Ga2O3 films grown on c-plane sapphire substrates by mist chemical vapor deposition
雾化化学气相沉积法在 c 面蓝宝石衬底上生长 ε-Ga2O3 薄膜的铋辅助效应
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    D. Tahara;H. Nishinaka;Y. Arata;S. Hasegawa;M Yoshimoto
  • 通讯作者：
    M Yoshimoto
新しい強誘電体ε-Ga2O3のエピタキシャル成長技術
新型铁电ε-Ga2O3外延生长技术
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    西中浩之;田原大祐;新田悠汰;島添和樹;野田実;吉本昌広
  • 通讯作者：
    吉本昌広
Alloying In2O3 and Ga2O3 on AlN templates for deep-ultraviolet transparent conductive films by mist chemical vapor deposition
AlN模板上合金化In2O3和Ga2O3雾气化学气相沉积制备深紫外透明导电薄膜
  • DOI：
    10.35848/1347-4065/ac4688
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Ogura Yuri;Arata Yuta;Nishinaka Hiroyuki;Yoshimoto Masahiro
  • 通讯作者：
    Yoshimoto Masahiro
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Nishinaka Hiroyuki其他文献

若手研究者のオンラインネットワークづくりの実践から
来自为年轻研究人员创建在线网络的实践
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    文化資源学
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Kawata Hiromu;Hasegawa Sho;Nishinaka Hiroyuki;Yoshimoto Masahiro;風間勇助
  • 通讯作者：
    風間勇助
ペプチド脂質のガン細胞内での自己組織化と細胞死の誘導
癌细胞中肽脂的自组装和诱导细胞死亡
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Kunihashi Yoji;Shinohara Yasushi;Hasegawa Sho;Nishinaka Hiroyuki;Yoshimoto Masahiro;Oguri Katsuya;Gotoh Hideki;Kohda Makoto;Nitta Junsaku;Sanada Haruki;Y. K. Kato;丸山達生
  • 通讯作者：
    丸山達生
Heteroepitaxial growth of ε-Ga2O3 thin films on cubic (111) GGG substrates by mist chemical vapor deposition
雾气化学气相沉积在立方 (111) GGG 衬底上异质外延生长 ε-Ga2O3 薄膜
Laser ARPES for the Precise Detection of Slowest Photoelectrons and Work functions
用于精确检测最慢光电子和功函数的激光 ARPES
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Horie Ryuto;Nishinaka Hiroyuki;Tahara Daisuke;Yoshimoto Masahiro;山本和生;Norihiko Hayazawa;須田理行;Y. Ishida
  • 通讯作者：
    Y. Ishida
Raman going into sub-nanometer and multiple environments
拉曼进入亚纳米和多种环境
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Horie Ryuto;Nishinaka Hiroyuki;Tahara Daisuke;Yoshimoto Masahiro;山本和生;Norihiko Hayazawa
  • 通讯作者：
    Norihiko Hayazawa

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  • 通讯作者：
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Hetero-junction devices of lattice matched alpha-(In1-xAlx)2O3 semiconductors
晶格匹配的α-(In1-xAlx)2O3半导体异质结器件
  • 批准号：
    19K22143
  • 财政年份：
    2019
  • 资助金额：
    $ 11.23万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Mist CVD method for inorganic-organic perovskites solar-cell
无机-有机钙钛矿太阳能电池的雾气CVD法
  • 批准号：
    15H06343
  • 财政年份：
    2015
  • 资助金额：
    $ 11.23万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up

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    $ 11.23万
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  • 批准号：
    11J06837
  • 财政年份：
    2011
  • 资助金额：
    $ 11.23万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
格子欠陥の導入による強誘電ドメインの挙動制御
通过引入晶格缺陷控制铁电域的行为
  • 批准号：
    08J09794
  • 财政年份：
    2008
  • 资助金额：
    $ 11.23万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ペロブスカイト型強誘電体における人工粒界創製と非線形電子物性
钙钛矿型铁电体的人工晶界形成和非线性电子特性
  • 批准号：
    01J05628
  • 财政年份：
    2001
  • 资助金额：
    $ 11.23万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
リラクサの高誘電率発生の機構解明
阐明弛豫剂中高介电常数产生的机制
  • 批准号：
    12134202
  • 财政年份：
    2000
  • 资助金额：
    $ 11.23万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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