Hetero-junction devices of lattice matched alpha-(In1-xAlx)2O3 semiconductors

晶格匹配的α-(In1-xAlx)2O3半导体异质结器件

基本信息

  • 批准号:
    19K22143
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 4.08万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-06-28 至 2021-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(20)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
スピネル基板上に格子整合して成長したγ-(AlxGa1-x)2O3混晶薄膜の界面の結晶構造解析
尖晶石衬底上晶格匹配生长的γ-(AlxGa1-x)2O3混晶薄膜界面晶体结构分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    堀江 竜斗;田原大祐;西中浩之;吉本昌広
  • 通讯作者:
    吉本昌広
Growth of Metastable Rhombohedral Structured Oxides Using Alpha-Fe2O3 Buffer Layers via Mist CVD Method
通过雾气 CVD 方法使用 Alpha-Fe2O3 缓冲层生长亚稳态菱面体结构氧化物
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Shimazoe;H. Nishinaka;Y. Arata;Y. Ito;and M. Yoshimoto
  • 通讯作者:
    and M. Yoshimoto
曲げられる準安定Ga2O3薄膜のエピタキシャル成長
可弯曲亚稳态Ga2O3薄膜的外延生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    新田悠汰;西中浩之;田原大祐;吉本昌広
  • 通讯作者:
    吉本昌広
Van der Waals epitaxy of flexible ε- and α-Ga2O3 filmson cleaved mica by mist chemical vapor deposition
雾气化学气相沉积法在解理云母上范德华外延柔性 ε- 和 α-Ga2O3 薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Arata;H. Nishinaka;D. Tahara;K. Shimazoe;Y. Ito;M. Yoshimoto
  • 通讯作者:
    M. Yoshimoto
Fabrication of Flexible and Epitaxial Metastable Ga2O3 Thin Films on Synthetic Mica Using OxideBuffer Layer
使用氧化物缓冲层在合成云母上制备柔性外延亚稳态 Ga2O3 薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Arata;H. Nishinaka;D. Tahara;K. Shimazoe;Y. Ito;M. Yoshimoto
  • 通讯作者:
    M. Yoshimoto
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Nishinaka Hiroyuki其他文献

若手研究者のオンラインネットワークづくりの実践から
来自为年轻研究人员创建在线网络的实践
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kawata Hiromu;Hasegawa Sho;Nishinaka Hiroyuki;Yoshimoto Masahiro;風間勇助
  • 通讯作者:
    風間勇助
ペプチド脂質のガン細胞内での自己組織化と細胞死の誘導
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kunihashi Yoji;Shinohara Yasushi;Hasegawa Sho;Nishinaka Hiroyuki;Yoshimoto Masahiro;Oguri Katsuya;Gotoh Hideki;Kohda Makoto;Nitta Junsaku;Sanada Haruki;Y. K. Kato;丸山達生
  • 通讯作者:
    丸山達生
Epitaxial growth of metastable c-plane rhombohedral indium tin oxide using mist chemical vapor deposition
利用雾气化学气相沉积法外延生长亚稳态c面菱面体氧化铟锡
  • DOI:
    10.1016/j.mssp.2022.106689
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.1
  • 作者:
    Shimazoe Kazuki;Nishinaka Hiroyuki;Watanabe Keisuke;Yoshimoto Masahiro
  • 通讯作者:
    Yoshimoto Masahiro
Heteroepitaxial growth of ε-Ga2O3 thin films on cubic (111) GGG substrates by mist chemical vapor deposition
雾气化学气相沉积在立方 (111) GGG 衬底上异质外延生长 ε-Ga2O3 薄膜
Laser ARPES for the Precise Detection of Slowest Photoelectrons and Work functions
用于精确检测最慢光电子和功函数的激光 ARPES
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Horie Ryuto;Nishinaka Hiroyuki;Tahara Daisuke;Yoshimoto Masahiro;山本和生;Norihiko Hayazawa;須田理行;Y. Ishida
  • 通讯作者:
    Y. Ishida

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  • 通讯作者:
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无机-有机钙钛矿太阳能电池的雾气CVD法
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    15H06343
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  • 资助金额:
    $ 4.08万
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    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up

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    2024
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
格子整合系コア-シェルペロブスカイト量子ドットの創製
晶格匹配核壳钙钛矿量子点的创建
  • 批准号:
    22K14488
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
整化可能な代数構造の代数的グラフ理論による特徴付け及び分類
使用代数图论对可约代数结构进行表征和分类
  • 批准号:
    21K03344
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Achieving minimum thermal conductivity in higher manganese silicide-based thermoelectric materials through controlling of incommensurate nano-sized domains
通过控制不相称的纳米尺寸域实现高硅化锰基热电材料的最小导热率
  • 批准号:
    20H00394
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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