Study on corundum-structured ultra-wide band gap oxides with p-type conductivity

p型导电刚玉结构超宽带隙氧化物的研究

基本信息

  • 批准号:
    18H01870
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.23万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2018
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2018-04-01 至 2021-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
α-Ga2O3のデバイス実用化とp型層の魅力
α-Ga2O3器件的实际应用和p型层的吸引力
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    金子健太郎;四戸孝;藤田静雄
  • 通讯作者:
    藤田静雄
酸化ガリウムエレクトロニクスにおける p型作製の手法
氧化镓电子器件中的 p 型制造方法
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    金子健太郎;藤田静雄
  • 通讯作者:
    藤田静雄
Novel P-type Oxide Semiconductors of α-Ir2O3 in Gallium Oxide Electronics
氧化镓电子器件中新型 α-Ir2O3 P 型氧化物半导体
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kentaro Kaneko;Shin-ichi Kan;Shu Takemoto;Isao Takahashi;Masahiro Sugimoto;Takashi Shinohe;and Shizuo Fujita
  • 通讯作者:
    and Shizuo Fujita
バンドギャップ4 eV以上のp型α-(Ir,Ga)2O3の作製
带隙4 eV以上的p型α-(Ir,Ga)2O3的制备
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kentaro Kaneko;Yasuhisa Masuda;Shin-ichi Kan;Isao Takahashi;Yuji Kato;Ryohei Kanno;Masahiro Sugimoto;Takashi Shinohe;and Shizuo Fujita;金子健太郎,増田泰久 ,高橋勲,菅野亮平, 四戸孝,藤田静雄
  • 通讯作者:
    金子健太郎,増田泰久 ,高橋勲,菅野亮平, 四戸孝,藤田静雄
P-type α-(Ir,Ga)2O3 with a band gap of more than 4 eV
带隙大于4 eV的P型α-(Ir,Ga)2O3
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kentaro Kaneko;Yasuhisa Masuda;Shin-ichi Kan;Isao Takahashi;Yuji Kato;Ryohei Kanno;Masahiro Sugimoto;Takashi Shinohe;and Shizuo Fujita
  • 通讯作者:
    and Shizuo Fujita
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  • 通讯作者:
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  • 影响因子:
    0
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  • 通讯作者:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
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  • 作者:
    Yermek Rakhat;Wang Lei;Kaneko Kentaro;Han Wanxin;Seino Yutaka;Yabe Daisuke;Yada Toshihiko
  • 通讯作者:
    Yada Toshihiko
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刚玉结构氧化物半导体的生长和初步MOSFET
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Itoh Yoshito;Kaneko Kentaro;Fujita Shizuo
  • 通讯作者:
    Fujita Shizuo

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