超ワイドギャップ半導体の両極性電気伝導発現に向けた物性の解明と制御

超宽带隙半导体双极导电物理特性的阐明和控制

基本信息

  • 批准号:
    23H01867
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 12.48万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2023
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2023-04-01 至 2026-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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  • 批准号:
    23K26560
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 12.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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通过磁场下的偏振光反射和偏振光致发光测量阐明 AlN 的激子态
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    26886007
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 12.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
窒化物半導体の電子状態の解明と制御:歪工学による新機能光デバイス実現に向けて
氮化物半导体中电子态的阐明和控制:通过应变工程实现新型功能光学器件
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    11J00290
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    2011
  • 资助金额:
    $ 12.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows

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    $ 12.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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利用有机单晶的双极发光晶体管的高亮度发光器件的研究
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    09J06637
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 12.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Control of electronic and optical properties in nanomaterials and their functional interfaces
纳米材料及其功能界面的电子和光学特性的控制
  • 批准号:
    17204022
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    $ 12.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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