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Dynamic Supply Current Test Method with Built-in IDDT Appearance Time Sensor
内置 IDDT 出现时间传感器的动态电源电流测试方法
基本信息
- 批准号：24650021
- 负责人：
- 金额：$ 1.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2014-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
A built-in test circuit is proposed to detect an open defect in a CMOS IC by means of appearance time of dynamic supply current of the IC. Also, a test method based on the dynamic supply current with on the test circuit is proposed. A layout of an IC embedding the test circuit has been designed and an IC has been prototyped. It is shown by Spice simulation and some experiments that an open defect in the IC can be detected by the test method.
提出了一个内置的测试电路，以通过IC的动态供应电流的外观时间来检测CMOS IC中的开放缺陷。同样，提出了基于测试电路上的动态供应电流的测试方法。 IC嵌入测试电路的布局已经设计了，并且IC已被原型。通过香料模拟显示，一些实验表明，可以通过测试方法检测IC中的开放缺陷。
项目成果
期刊论文数量（8）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
A Built-in Sensor for IDDT Testing of CMOS ICs
用于 CMOS IC IDDT 测试的内置传感器
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Shohei Suenaga;Hiroyuki Yotsuyanagi and Masaki Hashizume
- 通讯作者：Hiroyuki Yotsuyanagi and Masaki Hashizume
組込み型IDDT出現時間検出回路による断線故障の検出のための必要条件
内置IDDT出现时间检测电路检测开路故障的要求
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：末永翔平;四柳浩之;橋爪正樹
- 通讯作者：橋爪正樹
A Built-in Test Circuit for Detecting Open Defects by IDDT Appearance Time in CMOS ICs
一种利用IDDT出现时间检测CMOS IC开路缺陷的内置测试电路
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Masaki Hashizume;Shohei Suenaga and Hiroyuki Yotsuyanagi
- 通讯作者：Shohei Suenaga and Hiroyuki Yotsuyanagi
Built-in IDDT Appearance Time Sensor for Detecting Open Faults in 3D IC
内置 IDDT 出现时间传感器，用于检测 3D IC 中的开路故障
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Shohei Suenaga;Masaki Hashizume;Hiroyuki Yotsuyanagi;Tetsuo Tada and Shyue-Kung Lu
- 通讯作者：Tetsuo Tada and Shyue-Kung Lu
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ROTH Zvi
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