実動作中のワイドギャップ半導体パワーデバイスにおける転位の動的な挙動の観察
宽禁带半导体功率器件实际运行过程中位错动态行为的观察
基本信息
- 批准号：23K17356
- 负责人：
- 金额：$ 16.56万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-06-30 至 2027-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
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会议论文数量（0）
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姚 永昭其他文献
ワイドバンドギャップ半導体結晶の転位検出と解析
宽带隙半导体晶体的位错检测与分析
- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
- 作者：
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- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
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伊藤榛華，柳下 崇
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GaN自支撑衬底上pn二极管的反向漏电流与螺旋位错周围存在的Mg的关系
- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
- 作者：
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（0001）GaNウエハ上のsクラッチ幅と転位パタンサイズの線形増加
(0001) GaN 晶圆上离合宽度和位错图案尺寸线性增加
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
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只友一行
積雪した太陽電池モジュールにおける熱収支とアルベドの影響
热平衡和反照率对积雪太阳能电池组件的影响
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
石川由加里;菅原 義弘;姚 永昭;武田秀俊;會田英雄;只友一行;伊髙 健治 - 通讯作者：
伊髙 健治
姚 永昭的其他文献
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{{ truncateString('姚 永昭', 18)}}的其他基金
パワーデバイス劣化機構の解明に向けた格子欠陥のオペランド観察技術の開発
开发晶格缺陷原位观察技术以阐明功率器件劣化机制
- 批准号：
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- 批准号：
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Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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- 资助金额：
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Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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- 批准号：
20K22384 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 16.56万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
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新缺陷工程；
- 批准号：
18K18934 - 财政年份：2018
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Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Effects of defects and surface structure on oxide film on non-polar 4H-SiC plane
非极性4H-SiC面氧化膜缺陷及表面结构的影响
- 批准号：
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Grant-in-Aid for Scientific Research (C)