High accuracy simulation for conductive noise reduction on power converter using SiC device

使用 SiC 器件对功率转换器进行传导噪声降低的高精度仿真

基本信息

  • 批准号:
    19K04326
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(15)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
the 22nd International Conference on Electrical Machines and Systems (ICEMS2019)
第22届电机与系统国际会议(ICEMS2019)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
the 10th International Conference on Power Electronics ECCE Asia (ICPE 2019-ECCE Asia)
第十届亚洲电力电子ECCE国际会议(ICPE 2019-ECCE Asia)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Circuit modeling for Common mode Noise on AC/DC Converter using SiC Device
使用 SiC 器件对 AC/DC 转换器上的共模噪声进行电路建模
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    MITANI Kohei;KAWAMURA Yuki;KITAGAWA Wataru;TAKESHITA Takaharu
  • 通讯作者:
    TAKESHITA Takaharu
Modeling and Simulation for Conducted Noise on AC/DC Converter using SiC-Device
使用 SiC 器件对 AC/DC 转换器上的传导噪声进行建模和仿真
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Wataru Kitagawa;Kohei Mitani;Yuki Kawamura;Takaharu Takeshita
  • 通讯作者:
    Takaharu Takeshita
SiCデバイスを用いたAC/DCコンバータにおける伝導性ノイズのシミュレーションに関する一考察
使用 SiC 器件的 AC/DC 转换器传导噪声仿真研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Toshiya Kutsuna;Kazuki Kuwana;Wataru Kitagawa;Takaharu Takeshita;奥井俊平,北川亘,竹下隆晴
  • 通讯作者:
    奥井俊平,北川亘,竹下隆晴
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Kitagawa Wataru其他文献

Prevalence and Characterization of Gentamicin Resistance Genes in Escherichia coli Isolates from Beef Cattle Feces in Japan
日本肉牛粪便大肠杆菌中庆大霉素抗性基因的流行率和特征
  • DOI:
    10.1007/s00284-022-02913-6
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.6
  • 作者:
    Yamamoto Shiori;Kitagawa Wataru;Nakano Motoki;Asakura Hiroshi;Nakayama Tatsuya;Iwabuchi Eriko;Sone Teruo;Asano Kozo
  • 通讯作者:
    Asano Kozo
Plasmid Sequences of Four Large Plasmids Carrying Antimicrobial Resistance Genes in Escherichia coli Strains Isolated from Beef Cattle in Japan
日本肉牛分离大肠杆菌菌株中四个携带抗菌素抗性基因的大质粒的质粒序列
  • DOI:
    10.1128/mra.00219-20
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0.8
  • 作者:
    Yamamoto Shiori;Kitagawa Wataru;Nakano Motoki;Asakura Hiroshi;Iwabuchi Eriko;Sone Teruo;Asano Kozo
  • 通讯作者:
    Asano Kozo

Kitagawa Wataru的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('Kitagawa Wataru', 18)}}的其他基金

Isolation of novel antibiotic-producing Actinobacteria using with phylogenetic information
利用系统发育信息分离新型产抗生素放线菌
  • 批准号:
    25650136
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

相似海外基金

量子集積デバイス実現に向けたSiCの単一光子源探索と学理構築
实现量子集成器件的SiC单光子源探索与理论构建
  • 批准号:
    23KJ1501
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
SiC半導体中のSi空孔製作用の異種イオン混合サブミクロンビーム形成技術の開発
开发用于在 SiC 半导体中制造 Si 空位的混合离子亚微米束形成技术
  • 批准号:
    20H02673
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
A study on scattering mechanisms of inversion layer mobility in SiC MOSFETs
SiC MOSFET反型层迁移率散射机制研究
  • 批准号:
    19K04494
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Elucidation of malfunction mechanisms occurring during switching periods of SiC devices
阐明 SiC 器件开关期间发生的故障机制
  • 批准号:
    19K04351
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Clarification of the guideline to improve SiC MOSFET performance based on the structural deformation analysis near the thermally-oxidized interface
基于热氧化界面附近的结构变形分析,明确提高SiC MOSFET性能的指南
  • 批准号:
    18H03771
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了