Elucidation of malfunction mechanisms occurring during switching periods of SiC devices
阐明 SiC 器件开关期间发生的故障机制
基本信息
- 批准号：19K04351
- 负责人：
- 金额：$ 2.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（6）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
電気自動車用インバータの高電力密度化に向けたGaN-HEMT実装方法の提案
提出用于提高电动汽车逆变器功率密度的 GaN-HEMT 安装方法
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Maruta Hidenori;Hoshino Daiki;竹原 佑，石原 將貴，梅谷 和弘，平木 英治
- 通讯作者：竹原 佑，石原 將貴，梅谷 和弘，平木 英治
Feasibility of Parasitic Drain Inductance Design for Minimizing Switching Loss in Bridge Circuits Using GaN-FETs
- DOI：10.1109/isie45552.2021.9576373
- 发表时间：2021-06
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Koki Abe;Masataka Ishihara;Yusuke Hatakenaka;K. Umetani;E. Hiraki
- 通讯作者：Koki Abe;Masataka Ishihara;Yusuke Hatakenaka;K. Umetani;E. Hiraki
Optimization of Common Source Inductance and Gate-Drain Capacitance for Reducing Gate Voltage Fluctuation after Turn-off Transition
- DOI：10.1109/ecce44975.2020.9236428
- 发表时间：2020-10
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yusuke Hatakenaka;K. Umetani;Masataka Ishihara;E. Hiraki
- 通讯作者：Yusuke Hatakenaka;K. Umetani;Masataka Ishihara;E. Hiraki
小型EV向け高電力密度インバータ実現に向けて低寄生インダクタンス・高放熱性能を両立するためのアルミ基板を用いたGaN-HEMT実装方法の提案
提出使用铝基板的GaN-HEMT安装方法，以实现低寄生电感和高散热性能，以实现小型电动汽车的高功率密度逆变器
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Maruta Hidenori;Hoshino Daiki;竹原 佑，石原 將貴，梅谷 和弘，平木 英治;竹原 佑，石原將貴，梅谷和弘，平木英治
- 通讯作者：竹原 佑，石原將貴，梅谷和弘，平木英治
アルミコア基板を用いた三相PWMインバータの熱設計
采用铝芯板的三相PWM逆变器热设计
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yusuke Hatakenaka;Kazuhiro Umetani;Masataka Ishihara;Eiji Hiraki;秋間雅宏，小西晃央，梅谷和弘，平木英治
- 通讯作者：秋間雅宏，小西晃央，梅谷和弘，平木英治
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2023 - 期刊：
- 影响因子：1.7
- 作者：
Konishi Akihiro;Umetani Kazuhiro;Ishihara Masataka;Hiraki Eiji - 通讯作者：
Hiraki Eiji
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19H02616 - 财政年份：2019
- 资助金额：
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Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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26286045 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows