Novel approaches for hole injections in widegap semiconductors and their applications to novel light-emitting devices

宽禁带半导体空穴注入的新方法及其在新型发光器件中的应用

基本信息

批准号：
26286045
负责人：
Takeuchi Tetsuya
金额：
$ 10.32万
依托单位：
Meijo University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

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GaInN-based tunnel junctions with high InN mole fractions grown by MOVPE

MOVPE 生长的高 InN 摩尔分数的 GaInN 基隧道结

DOI：
10.1002/pssb.201451507
发表时间：
2015
期刊：
Physica Status Solidi (b)
影响因子：
0
作者：
Daichi Minamikawa;Masataka Ino;Shunsuke Kawai;Tetsuya Takeuchi;Satoshi Kamiyama;Motoaki Iwaya;and Isamu Akasaki
通讯作者：
and Isamu Akasaki

GaNSb alloys grown with H2 and N2 carrier gases

使用 H2 和 N2 载气生长的 GaNSb 合金

DOI：
10.7567/jjap.55.05fd01
发表时间：
2016
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys.
影响因子：
0
作者：
Daisuke Komori;Kaku Takarabe;Tetsuya Takeuchi;Takao Miyajima;Satoshi Kamiyama;Motoaki Iwaya;and Isamu Akasaki
通讯作者：
and Isamu Akasaki

高InNモル分率GaInNを用いたトンネル接合(2)

使用高 InN 摩尔分数的 GaInN 的隧道结 (2)

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
南川大智;井野匡貴;竹内哲也;上山智;岩谷素顕;赤﨑勇
通讯作者：
赤﨑勇

窒化物半導体LEDにおける分極電荷の補償

氮化物半导体 LED 中的极化电荷补偿

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
勝野翔太;林健人;安田俊輝;岩谷素顕;竹内哲也; 上山智;天野浩; 赤﨑勇
通讯作者：
赤﨑勇

GaInN系トンネル接合を有するLED

具有 GaInN 隧道结的 LED

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
南川大智;井野匡貴;竹内哲也;上山智;岩谷素顕;赤﨑勇
通讯作者：
赤﨑勇

DOI：
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作者：
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Takeuchi Tetsuya其他文献

Destabilization of Excitonic Phase by Elemental Substitution in (Ta1-xMx)2NiSe5 (M = V, Nb) and Ta2(Ni1-yTy)Se5 (T = Fe, Co)

(Ta1-xMx)2NiSe5 (M = V, Nb) 和 Ta2(Ni1-yTy)Se5 (T = Fe, Co) 中元素取代导致激子相不稳定

DOI：
10.7566/jpsj.92.084705
发表时间：
2023
期刊：
Journal of the Physical Society of Japan
影响因子：
1.7
作者：
Hirose Yusuke;Sano Sumika;Hirahara Takuya;Uwatoko Yoshiya;Gouchi Jun;Takeuchi Tetsuya;Settai Rikio
通讯作者：
Settai Rikio

In-situ curvature measurements of AlInN/GaN distributed Bragg reflectors during growths containing substrate temperature ramping steps

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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2019.125357
发表时间：
2020
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
Hiraiwa Kei;Muranaga Wataru;Iwayama Sho;Takeuchi Tetsuya;Kamiyama Satoshi;Iwaya Motoaki;Akasaki Isamu
通讯作者：
Akasaki Isamu

GaN-based tunnel junctions and optoelectronic devices grown by metal-organic vapor-phase epitaxy

金属有机气相外延生长的氮化镓基隧道结和光电器件

DOI：
10.1088/1361-6641/abeb82
发表时间：
2021
期刊：
Semiconductor Science and Technology
影响因子：
1.9
作者：
Takeuchi Tetsuya;Kamiyama Satoshi;Iwaya Motoaki;Akasaki Isamu
通讯作者：
Akasaki Isamu

悲しみと喜びのあいだ —6つの文化間で共通する驚きの身体性—

悲伤与欢乐之间——六种文化中共有的令人惊讶的肉体——

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kawakatsu Shoya;Nakaima Kenri;Kakihana Masashi;Yamakawa Yui;Miyazato Hayato;Kida Takanori;Tahara Time;Hagiwara Masayuki;Takeuchi Tetsuya;Aoki Dai;Nakamura Ai;Tatetsu Yasutomi;Maehira Takahiro;Hedo Masato;Nakama Takao;Onuki Yoshichika;山田祐樹・ Juan Correa・Gopal Sakarkar・Giang Ngo・Susana Ruiz-Fernández・Natalie Butcher・Fernando Marmolejo-Ramos
通讯作者：
山田祐樹・ Juan Correa・Gopal Sakarkar・Giang Ngo・Susana Ruiz-Fernández・Natalie Butcher・Fernando Marmolejo-Ramos

Fermi Surfaces and Magnetoresistances of Dirac Conduction Electrons in PbX (X: S, Se, Te) and AMnBi2 (A = Ca, Sr)

PbX（X：S、Se、Te）和 AMnBi2（A = Ca、Sr）中狄拉克传导电子的费米表面和磁阻

DOI：
10.7566/jpscp.29.013005
发表时间：
2020
期刊：
JPS Conference Proceedings
影响因子：
0
作者：
Nakaima Kenri;Matsuda Shinya;Iha Wataru;Kawakatsu Shoya;Kakihana Masashi;Kida Takanori;Hagiwara Masayuki;Takeuchi Tetsuya;Aoki Dai;Nakamura Ai;Gouchi Jun;Uwatoko Yoshiya;Hedo Masato;Nakama Takao;Onuki Yoshichika
通讯作者：
Onuki Yoshichika