Anion-controlled nitride-based semiconductor alloys towards laser diodes in unexploited wavelength regions

用于未开发波长区域激光二极管的阴离子控制氮化物基半导体合金

基本信息

批准号：
15K13959
负责人：
Takeuchi Tetsuya
金额：
$ 2.5万
依托单位：
Meijo University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（11）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

高速成長（0.43 μm/h）させたGaInN量子井戸の弱・強励起PL評価

高速（0.43 μm/h）生长的 GaInN 量子阱的弱和强激发 PL 评估

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
市川竜弥;高須賀大貴;財部覚;竹内哲也;上山智;岩谷素顕;赤﨑勇
通讯作者：
赤﨑勇

窒化物半導体発光素子及びその製造方法

氮化物半导体发光器件及其制造方法

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Carrier gas dependence on GaNSb MOVPE growth

GaN MOVPE 生长对载气的依赖性

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Daisuke Komori;Hiroki Sasajima;Kaku Takarabe;Kenta Suzuki;Tetsuya Takeuchi;Satoshi Kamiyama;Motoaki Iwaya;and Isamu.Akasaki
通讯作者：
and Isamu.Akasaki

GaNSb alloys grown with H2 and N2 carrier gases

使用 H2 和 N2 载气生长的 GaNSb 合金

DOI：
10.7567/jjap.55.05fd01
发表时间：
2016
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys.
影响因子：
0
作者：
Daisuke Komori;Kaku Takarabe;Tetsuya Takeuchi;Takao Miyajima;Satoshi Kamiyama;Motoaki Iwaya;and Isamu Akasaki
通讯作者：
and Isamu Akasaki

MOVPE Growth of AlNSb Alloys

AlNSb 合金的 MOVPE 生长

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Suzuki;D. Komori;H. Sasajima;K. Takarabe;T. Takeuchi;M. Iwaya;S. Kamiyama;and I. Akasaki
通讯作者：
and I. Akasaki

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Takeuchi Tetsuya其他文献

Destabilization of Excitonic Phase by Elemental Substitution in (Ta1-xMx)2NiSe5 (M = V, Nb) and Ta2(Ni1-yTy)Se5 (T = Fe, Co)

(Ta1-xMx)2NiSe5 (M = V, Nb) 和 Ta2(Ni1-yTy)Se5 (T = Fe, Co) 中元素取代导致激子相不稳定

DOI：
10.7566/jpsj.92.084705
发表时间：
2023
期刊：
Journal of the Physical Society of Japan
影响因子：
1.7
作者：
Hirose Yusuke;Sano Sumika;Hirahara Takuya;Uwatoko Yoshiya;Gouchi Jun;Takeuchi Tetsuya;Settai Rikio
通讯作者：
Settai Rikio

Large magneto-optical effect in the topological chiral antiferromagnet Mn3Sn

拓扑手性反铁磁体 Mn3Sn 中的大磁光效应

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kawakatsu Shoya;Kakihana Masashi;Nakashima Miho;Amako Yasushi;Nakamura Ai;Aoki Dai;Takeuchi Tetsuya;Harima Hisatomo;Hedo Masato;Nakama Takao;Onuki Yoshichika;肥後友也
通讯作者：
肥後友也

GaN-based tunnel junctions and optoelectronic devices grown by metal-organic vapor-phase epitaxy

金属有机气相外延生长的氮化镓基隧道结和光电器件

DOI：
10.1088/1361-6641/abeb82
发表时间：
2021
期刊：
Semiconductor Science and Technology
影响因子：
1.9
作者：
Takeuchi Tetsuya;Kamiyama Satoshi;Iwaya Motoaki;Akasaki Isamu
通讯作者：
Akasaki Isamu

Anisotropic Magnetic Phase Diagrams in EuRh2Si2

EuRh2Si2 中的各向异性磁相图

DOI：
10.7566/jpscp.29.012005
发表时间：
2020
期刊：
JPS Conf. Proc.
影响因子：
0
作者：
Takeuchi Tetsuya;Iha Wataru;Kakihana Masashi;Ashitomi Yousuke;Kida Takanori;Tahara Time;Hagiwara Masayuki;Haga Yoshinori;Hedo Masato;Nakama Takao;Onuki Yoshichika
通讯作者：
Onuki Yoshichika

Fermi Surfaces and Magnetoresistances of Dirac Conduction Electrons in PbX (X: S, Se, Te) and AMnBi2 (A = Ca, Sr)

PbX（X：S、Se、Te）和 AMnBi2（A = Ca、Sr）中狄拉克传导电子的费米表面和磁阻

DOI：
10.7566/jpscp.29.013005
发表时间：
2020
期刊：
JPS Conference Proceedings
影响因子：
0
作者：
Nakaima Kenri;Matsuda Shinya;Iha Wataru;Kawakatsu Shoya;Kakihana Masashi;Kida Takanori;Hagiwara Masayuki;Takeuchi Tetsuya;Aoki Dai;Nakamura Ai;Gouchi Jun;Uwatoko Yoshiya;Hedo Masato;Nakama Takao;Onuki Yoshichika
通讯作者：
Onuki Yoshichika