Development of diamond electronic devices using AlN/diamond heterojunction
利用AlN/金刚石异质结开发金刚石电子器件
基本信息
- 批准号：19K04501
- 负责人：
- 金额：$ 2.75万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（20）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Integrated TbDyFe Film on a Single‐Crystal Diamond Microelectromechanical Resonator for Magnetic Sensing
- DOI：10.1002/pssr.202100352
- 发表时间：2021-07
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Xiulin Shen;Huanying Sun;L. Sang;M. Imura;Y. Koide;S. Koizumi;M. Liao
- 通讯作者：Xiulin Shen;Huanying Sun;L. Sang;M. Imura;Y. Koide;S. Koizumi;M. Liao
Challenge to development of III-nitride Nanolaminates/Diamond Heterojunction devices.
III 族氮化物纳米层压材料/金刚石异质结器件的开发面临的挑战。
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：小出 康夫;井村 将隆;劉 江偉;廖 梅勇.
- 通讯作者：廖 梅勇.
Improvement of structural quality of AlN layers grown on c-plane sapphire substrate by metal organic vapor phase epitaxy using post-growth annealing with trimethylgallium
使用三甲基镓生长后退火通过金属有机气相外延提高 c 面蓝宝石衬底上生长的 AlN 层的结构质量
- DOI：10.1063/5.0076706
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：1.6
- 作者：Imura Masataka;Inaba Hideki;Mano Takaaki;Ishida Nobuyuki;Uesugi Fumihiko;Kuroda Yoko;Nakayama Yoshiko;Takeguchi Masaki;Koide Yasuo
- 通讯作者：Koide Yasuo
高放射線耐性半導体検出器の開発
高耐辐射半导体探测器的开发
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：シェン シウリン;市川 公善;Zhaohui Huang;小出 康夫;井村 将隆;小泉 聡;廖 梅勇.;井村 将隆;井村 将隆
- 通讯作者：井村 将隆
Ⅲ族窒化物ナノラミネート特異構造を用いたダイヤモンド電子デバイスの開発.
利用 III 族氮化物纳米层压材料的独特结构开发金刚石电子器件。
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：小出 康夫;劉 江偉;井村 将隆;廖 梅勇.
- 通讯作者：廖 梅勇.
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Telexistence system with three-dimensional fog display
具有三维雾显示的远程存在系统
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$ 2.75万 - 项目类别：
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$ 2.75万 - 项目类别：
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$ 2.75万 - 项目类别：
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- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
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