Process temperature and resistance reduction for solid-phase deposition of multi-layer graphene by current application

当前应用的多层石墨烯固相沉积的工艺温度和电阻降低

基本信息

批准号：
18K04289
负责人：
Ueno Kazuyoshi
金额：
$ 2.08万
依托单位：
Shibaura Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
起止时间：
2018-04-01 至 2023-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（36）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Optimization of MoCl5 intercalation for low-resistance and low-damage exfoliated highly oriented graphite

低阻低损伤片状高取向石墨MoCl5插层优化

DOI：
10.1016/j.mee.2021.111666
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
2.3
作者：
Ekkaphop Ketsombun; Kazuyoshi Ueno
通讯作者：
Kazuyoshi Ueno

Advances in graphene processes for metallization and high frequency devices

用于金属化和高频器件的石墨烯工艺的进展

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kazuyoshi Ueno
通讯作者：
Kazuyoshi Ueno

Reaction temperature and time dependence of MoCl5 intercalation to few-layer graphene

MoCl5 嵌入少层石墨烯的反应温度和时间依赖性

DOI：
10.35848/1347-4065/ab7e3c
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Ekkaphop Ketsombun; Xiangyu Wu; Inge Asselberghs; Swati Achra; Cedric Huyghebaert; Dennis Lin; Zsolt Tokei;Kazuyoshi Ueno
通讯作者：
Kazuyoshi Ueno

Effect of current on Ni catalyst layer used for current-enhanced CVD of multilayer graphene

电流对多层石墨烯电流增强CVD用镍催化剂层的影响

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Junpei Tokida; Reno Hasumi; Kazuyoshi Ueno
通讯作者：
Kazuyoshi Ueno

Advances in graphene processes for metallization and high frequency devices

用于金属化和高频器件的石墨烯工艺的进展

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kazuyoshi Ueno
通讯作者：
Kazuyoshi Ueno

DOI：
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Ueno Kazuyoshi其他文献

A novel graphene barrier against moisture by multiple stacking large-grain graphene

通过多层堆叠大颗粒石墨烯实现新型石墨烯防潮层

DOI：
10.1038/s41598-019-40534-5
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
4.6
作者：
Gomasang Ploybussara;Kawahara Kenji;Yasuraoka Kenta;Maruyama Mina;Ago Hiroki;Okada Susumu;Ueno Kazuyoshi
通讯作者：
Ueno Kazuyoshi

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10.1038/s41598-019-40534-5
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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作者：
Gomasang Ploybussara;Kawahara Kenji;Yasuraoka Kenta;Maruyama Mina;Ago Hiroki;Okada Susumu;Ueno Kazuyoshi
通讯作者：
Ueno Kazuyoshi

Moisture barrier properties of single-layer graphene deposited on Cu films for Cu metallization

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DOI：
10.7567/jjap.57.04fc08
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Gomasang Ploybussara;Abe Takumi;Kawahara Kenji;Wasai Yoko;Nabatova;Cuong Nguyen Thanh;Ago Hiroki;Okada Susumu;Ueno Kazuyoshi
通讯作者：
Ueno Kazuyoshi

Improvement of multilayer graphene (MLG) / n-GaN Schottky diode properties fabricated with transfer-free deposition of MLG on n-GaN by solid-phase reaction

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DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Uddin Md. Sahab;Ueno Kazuyoshi
通讯作者：
Ueno Kazuyoshi

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DOI：
10.7567/jjap.57.04fc08
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Gomasang Ploybussara;Abe Takumi;Kawahara Kenji;Wasai Yoko;Nabatova;Cuong Nguyen Thanh;Ago Hiroki;Okada Susumu;Ueno Kazuyoshi
通讯作者：
Ueno Kazuyoshi