Hydrogen-mediated defect passivation of semiconductor materials during plasma processing

等离子体处理过程中氢介导的半导体材料缺陷钝化

基本信息

批准号：
18K03603
负责人：
Nunomura Shota
金额：
$ 2.83万
依托单位：
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（29）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

In-situ detection of interface defects in a-Si:H/c-Si heterojunction during plasma processing

等离子体处理过程中 a-Si:H/c-Si 异质结界面缺陷的原位检测

DOI：
10.7567/1882-0786/ab128b
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
2.3
作者：
Nunomura Shota;Sakata Isao;Matsubara Koji
通讯作者：
Matsubara Koji

Formation of electronic defects in crystalline silicon during hydrogen plasma treatment

氢等离子体处理过程中晶体硅中电子缺陷的形成

DOI：
10.1063/1.5089202
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
1.6
作者：
Nunomura Shota;Sakata Isao;Matsubara Koji
通讯作者：
Matsubara Koji

シランプラズマ中の気相化学と表面反応

硅烷等离子体中的气相化学和表面反应

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
布村正太
通讯作者：
布村正太

パッシベーション膜

钝化膜

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

In-situ detection of interface defects in a-Si:H/c-Si heterojunction during plasma processing

等离子体处理过程中 a-Si:H/c-Si 异质结界面缺陷的原位检测

DOI：
10.7567/1882-0786/ab128b
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
2.3
作者：
Nunomura Shota;Sakata Isao;Matsubara Koji
通讯作者：
Matsubara Koji

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通讯作者：
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发表时间：
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影响因子：
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通讯作者：
Shiratani Masaharu

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非晶硅和外延硅层生长过程中晶体硅表面钝化的实时监测

DOI：
10.1063/5.0011563
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
3.2
作者：
Nunomura Shota;Sakata Isao;Sakakita Hajime;Koga Kazunori;Shiratani Masaharu
通讯作者：
Shiratani Masaharu

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