Development of chemical-free and sophisticated manufacturing process for semiconductor substrate through hydrogen cycle

通过氢循环开发半导体衬底的无化学和精密制造工艺

基本信息

批准号：
16H04245
负责人：
Ohmi Hiromasa
金额：
$ 10.48万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

水素プラズマを用いた銅ドライエッチングにおける添加ガス効果

使用氢等离子体的铜干法蚀刻中添加气体效应

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
大参宏昌;佐藤純平;久保田雄介;平野達也;垣内弘章;安武潔
通讯作者：
安武潔

Copper dry etching using a high-pressure plasma with non-toxic gas

使用高压等离子体和无毒气体进行铜干法蚀刻

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hiromasa Ohmi;Yoshiki Shirasu; Hiroaki Kakiuchi; Kiyoshi Yasutake
通讯作者：
Kiyoshi Yasutake

狭ギャップ高密度水素プラズマによるオンサイトSiH4生成装置を用いたシリコンエピ成長

使用现场 SiH4 生成设备和窄间隙高密度氢等离子体进行硅外延生长

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
武居則久;篠田史也;垣内弘章;安武潔;大参宏昌
通讯作者：
大参宏昌

高圧水素プラズマによるSi表面の欠陥制御法の検討

高压氢等离子体硅表面缺陷控制方法研究

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
木元健太;垣内弘章;安武潔;大参宏昌
通讯作者：
大参宏昌

マイクロ波水素プラズマを用いたオンサイトシラン生成器の開発とその応用

微波氢等离子体现场硅烷发生器的研制及其应用

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
武居則久;垣内弘章;安武潔;大参宏昌
通讯作者：
大参宏昌

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Ohmi Hiromasa其他文献

Ohmi Hiromasa的其他文献

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

{{ truncateString('Ohmi Hiromasa', 18)}}的其他基金

nanostructuring on semiconductor surface for optical management by high-pressure hydrogen plasma

半导体表面纳米结构用于高压氢等离子体光学管理

批准号：
20H02049
财政年份：
2020
资助金额：
$ 10.48万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Direct formation of the high-quality nanowire Si from metallurgical Si source based on the plasma and nanotechnology science

基于等离子体和纳米技术科学从冶金硅源直接形成高质量纳米线硅

批准号：
25289016
财政年份：
2013
资助金额：
$ 10.48万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

相似海外基金

nanostructuring on semiconductor surface for optical management by high-pressure hydrogen plasma

半导体表面纳米结构用于高压氢等离子体光学管理

批准号：
20H02049
财政年份：
2020
资助金额：
$ 10.48万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Reduction of defect density in silicon quantum dot light-absorbers using hydrogen plasma treatment

使用氢等离子体处理降低硅量子点光吸收器中的缺陷密度

批准号：
20K05075
财政年份：
2020
资助金额：
$ 10.48万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Hydrogen-mediated defect passivation of semiconductor materials during plasma processing

等离子体处理过程中氢介导的半导体材料缺陷钝化

批准号：
18K03603
财政年份：
2018
资助金额：
$ 10.48万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Generation and annihilation mechanisms of plasma-induced defects on semiconductor surface

半导体表面等离子体诱导缺陷的产生与消灭机制

批准号：
15K04717
财政年份：
2015
资助金额：
$ 10.48万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)