Generation and annihilation mechanisms of plasma-induced defects on semiconductor surface
半导体表面等离子体诱导缺陷的产生与消灭机制
基本信息
- 批准号：15K04717
- 负责人：
- 金额：$ 3.24万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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Science and Technology of Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition for High-Efficiency Silicon Solar Cells: Introduction
高效硅太阳能电池等离子体增强化学气相沉积科学与技术：简介
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Nunomura
- 通讯作者：S. Nunomura
EFFECTS OF CARRIER TRAPPING ON SOLAR CELL PERFORMANCES
载流子捕获对太阳能电池性能的影响
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Shota Nunomura; Isao Sakata;Koji Matsubara
- 通讯作者：Koji Matsubara
Hydrogen atom kinetics in capacitively coupled hydrogen plasmas
电容耦合氢等离子体中的氢原子动力学
- DOI：10.1088/1361-6595/aa6610
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：3.8
- 作者：Shota Nunomura; Hirotaka Katayama;Isao Yoshida
- 通讯作者：Isao Yoshida
Characterization of electronic transport properties of semiconductor films during plasma processing
等离子体处理过程中半导体薄膜电子传输特性的表征
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Shota Nunomura
- 通讯作者：Shota Nunomura
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Nunomura Shota其他文献
In-situ detection of interface defects in a-Si:H/c-Si heterojunction during plasma processing
等离子体处理过程中 a-Si:H/c-Si 异质结界面缺陷的原位检测
- DOI：
10.7567/1882-0786/ab128b - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：2.3
- 作者：
Nunomura Shota;Sakata Isao;Matsubara Koji - 通讯作者：
Matsubara Koji
Real-time monitoring of surface passivation of crystalline silicon during growth of amorphous and epitaxial silicon layer
非晶硅和外延硅层生长过程中晶体硅表面钝化的实时监测
- DOI：
10.1063/5.0011563 - 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：
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带有 ALD SiOx 层的纹理晶圆上的双面 TOPCon 太阳能电池
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- 影响因子：6.9
- 作者：
Lozac'h Mickael;Nunomura Shota;Matsubara Koji - 通讯作者：
Matsubara Koji
Formation of electronic defects in crystalline silicon during hydrogen plasma treatment
氢等离子体处理过程中晶体硅中电子缺陷的形成
- DOI：
10.1063/1.5089202 - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：1.6
- 作者：
Nunomura Shota;Sakata Isao;Matsubara Koji - 通讯作者：
Matsubara Koji
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使用 i/n a-Si:H/SiN 三层钝化晶体硅减反射涂层
- DOI：
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- 影响因子：4
- 作者：
Nunomura Shota;Sakata Isao;Sato Aiko;Lozac'h Mickael;Misawa Tatsuya;Itagaki Naho;Shiratani Masaharu - 通讯作者：
Shiratani Masaharu
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等离子体处理过程中氢介导的半导体材料缺陷钝化
- 批准号：
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- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
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Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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- 批准号：
09305021 - 财政年份：1997
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
半導体表面近傍に偏析した分子状不純物の紫外線レーザラマン分光法による高感度分析
使用紫外激光拉曼光谱对半导体表面附近偏析的分子杂质进行高灵敏度分析
- 批准号：
09875011 - 财政年份：1997
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
極端紫外光によるアモルファス半導体の光誘起現象の研究
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- 批准号：
07750374 - 财政年份：1995
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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- 批准号：
06750337 - 财政年份：1994
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)