Elucidation of plasma-induced defect generation mechanism during atomic layer etching

阐明原子层蚀刻过程中等离子体引起的缺陷产生机制

基本信息

  • 批准号:
    20K14453
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.66万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(22)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
リモート酸素ラジカルによるグラフェンのエッチング反応の分析
远程氧自由基对石墨烯蚀刻反应的分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    胡 留剛;堤 隆嘉;蕭 世男;近藤 博基;石川 健治;関根 誠;堀 勝
  • 通讯作者:
    堀 勝
Quantitative analyses of graphene layer etching using oxygen radicals generated in remote plasma for realization of atomic layer etching
利用远程等离子体中产生的氧自由基对石墨烯层蚀刻进行定量分析,以实现原子层蚀刻
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Liugang Hu; Takayoshi Tsutsumi; Thi;Masaru Hori
  • 通讯作者:
    Masaru Hori
Analysis of Ion Energy Dependence of Depth Profile of GaN by In-situ Surface Analysis
通过原位表面分析分析 GaN 深度轮廓的离子能量依赖性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Masaki Hasagawa; Takayoshi Tsutsumi; Atsushi Tanide; Shohei Nakamura; Hiroki Kondo; Kenji Ishikawa; Masaru Hori
  • 通讯作者:
    Masaru Hori
窒化物半導体プラズマエッチングにおける原子層反応制御と低ダメージプロセス
氮化物半导体等离子体刻蚀中原子层反应控制及低损伤工艺
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    堤 隆嘉;石川 健治;近藤 博基;関根 誠;堀 勝
  • 通讯作者:
    堀 勝
窒化物半導体プラズマエッチングにおける原子層反応制御と低ダメージプロセス
氮化物半导体等离子体刻蚀中原子层反应控制及低损伤工艺
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    堤 隆嘉;石川 健治;近藤 博基;関根 誠;堀 勝
  • 通讯作者:
    堀 勝
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Tsutsumi Takayoshi其他文献

Gene Expression of Osteoblast-like Cells on Carbon-Nanowall as Scaffolds during Incubation with Electrical Stimulation
电刺激孵育期间碳纳米壁支架上成骨细胞样细胞的基因表达
  • DOI:
    10.1021/acsabm.9b00178
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.7
  • 作者:
    Ichikawa Tomonori;Kondo Hiroki;Ishikawa Kenji;Tsutsumi Takayoshi;Tanaka Hiromasa;Sekine Makoto;Hori Masaru
  • 通讯作者:
    Hori Masaru
In situ surface analysis of an ion-energy-dependent chlorination layer on GaN during cyclic etching using Ar+ ions and Cl radicals
使用 Ar 离子和 Cl 自由基进行循环蚀刻期间 GaN 上离子能量依赖性氯化层的原位表面分析
  • DOI:
    10.1116/6.0000124
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.9
  • 作者:
    Hasegawa Masaki;Tsutsumi Takayoshi;Tanide Atsushi;Nakamura Shohei;Kondo Hiroki;Ishikawa Kenji;Sekine Makoto;Hori Masaru
  • 通讯作者:
    Hori Masaru
Interaction of oxygen with polystyrene and polyethylene polymer films: A mechanistic study
氧与聚苯乙烯和聚乙烯聚合物薄膜的相互作用:机理研究
  • DOI:
    10.1063/1.5127863
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    Fukunaga Yusuke;Longo Roberto C.;Ventzek Peter L. G.;Lane Barton;Ranjan Alok;Hwang Gyeong S.;Hartmann Gregory;Tsutsumi Takayoshi;Ishikawa Kenji;Kondo Hiroki;Sekine Makoto;Hori Masaru
  • 通讯作者:
    Hori Masaru
Gene Expression of Osteoblast-like Cells on Carbon-Nanowall as Scaffolds during Incubation with Electrical Stimulation
电刺激孵育期间碳纳米壁支架上成骨细胞样细胞的基因表达
  • DOI:
    10.1021/acsabm.9b00178
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.7
  • 作者:
    Ichikawa Tomonori;Kondo Hiroki;Ishikawa Kenji;Tsutsumi Takayoshi;Tanaka Hiromasa;Sekine Makoto;Hori Masaru
  • 通讯作者:
    Hori Masaru
Interaction of oxygen with polystyrene and polyethylene polymer films: A mechanistic study
氧与聚苯乙烯和聚乙烯聚合物薄膜的相互作用:机理研究
  • DOI:
    10.1063/1.5127863
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    Fukunaga Yusuke;Longo Roberto C.;Ventzek Peter L. G.;Lane Barton;Ranjan Alok;Hwang Gyeong S.;Hartmann Gregory;Tsutsumi Takayoshi;Ishikawa Kenji;Kondo Hiroki;Sekine Makoto;Hori Masaru
  • 通讯作者:
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  • 通讯作者:
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使用超慢离子去除 FIB 引起的损伤层进行原子级表面/界面结构分析
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    04J08002
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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作者:{{ showInfoDetail.author }}

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