Control of defects and surface morphology on strained Si/SiGe/Si(110) structure using the ion implantation method
使用离子注入方法控制应变 Si/SiGe/Si(110) 结构的缺陷和表面形貌
基本信息
- 批准号：18K04229
- 负责人：
- 金额：$ 2.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2018
- 资助国家：日本
- 起止时间：2018-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（33）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Evaluation of Crystal Lattice Rotation around a Stress-Induced Twin in a Step-Graded SiGe / Si(110) Using STEM Moiré Observation and its Image Analysis
使用 STEM 莫尔条纹评估阶梯梯度 SiGe / Si(110) 中应力诱导孪晶周围的晶格旋转
- DOI：10.1017/s1431927619001946
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：2.8
- 作者：Junji Yamanaka;Chiaya Yamamoto;Mai Shirakura;Kosuke O. Hara;Keisuke Arimoto;Kiyokazu Nakagawa;Akimitsu Ishizuka;and Kazuo Ishizuka
- 通讯作者：and Kazuo Ishizuka
Stability of strain in Si layers formed on SiGe/Si(110) heterostructures
SiGe/Si(110) 异质结构上形成的 Si 层的应变稳定性
- DOI：10.1088/1361-6641/aaeb10
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：1.9
- 作者：Arimoto Keisuke;Onogawa Atsushi;Saito Shingo;Yamada Takane;Sato Kei;Utsuyama Naoto;Sano Yuichi;Izumi Daisuke;Yamanaka Junji;Hara Kosuke O;Sawano Kentarou;Nakagawa Kiyokazu
- 通讯作者：Nakagawa Kiyokazu
歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETにおける電界効果移動度の歪みSi膜厚依存性
应变 Si/松弛 SiGe/Si(110) 异质结构 p-MOSFET 中场效应迁移率对应变 Si 膜厚度的依赖性
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：藤澤 泰輔;各川 敦史;浪内 大地;斎藤 慎吾;佐野 雄一;泉 大輔;山中 淳二;原 康祐;澤野 憲太郎;中川 清和;有元 圭介
- 通讯作者：有元 圭介
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
ARIMOTO Keisuke其他文献
ARIMOTO Keisuke的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('ARIMOTO Keisuke', 18)}}的其他基金
Development of high-mobility strained Si/SiGe/Si(110) heterostructure by suppression of dislocation generation
通过抑制位错产生开发高迁移率应变 Si/SiGe/Si(110) 异质结构
- 批准号：
15K04661 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Studies on defect formation process and electrical properties of Silicon-Carbon strained heterostructures
硅碳应变异质结构缺陷形成过程及电性能研究
- 批准号：
23760011 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
相似海外基金
Soft crystal based on crystallization of liquid crystal and its application to printable thin-film single-crystalline electronic devices
基于液晶结晶的软晶体及其在可印刷薄膜单晶电子器件中的应用
- 批准号：
17K18882 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Fabrication of tensile-strained single-crystalline GeSn wires on an insulator by lateral liquid-phase epitaxy towards electronic and opto-electronic device applications
通过横向液相外延在绝缘体上制造拉伸应变单晶 GeSn 线，用于电子和光电器件应用
- 批准号：
15H03975 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Defect Evaluation of InAlN after Device Process and their Electrical Properties
InAlN器件加工后的缺陷评估及其电性能
- 批准号：
15H06070 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
Development of the monolithic AlGaN deep ultraviolet sensing system on a Si substrate
Si 衬底上单片 AlGaN 深紫外传感系统的开发
- 批准号：
15H03998 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Study of substrates for h-BN single crystal growth by chemical vapor deposition method
化学气相沉积法h-BN单晶生长衬底的研究
- 批准号：
26286025 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)