Fabrication of tensile-strained single-crystalline GeSn wires on an insulator by lateral liquid-phase epitaxy towards electronic and opto-electronic device applications
通过横向液相外延在绝缘体上制造拉伸应变单晶 GeSn 线,用于电子和光电器件应用
基本信息
- 批准号:15H03975
- 负责人:
- 金额:$ 10.65万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2015
- 资助国家:日本
- 起止时间:2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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专利数量(0)
Fabrication of tensile-strained single-crystalline GeSn on transparent substrate by nucleation-controlled liquid-phase crystallization
- DOI:10.1063/1.4974473
- 发表时间:2017-01
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:H. Oka;T. Amamoto;M. Koyama;Y. Imai;S. Kimura;T. Hosoi;T. Shimura;Heiji Watanabe
- 通讯作者:H. Oka;T. Amamoto;M. Koyama;Y. Imai;S. Kimura;T. Hosoi;T. Shimura;Heiji Watanabe
Single-Crystalline GeSn Formation on Transparent Substrate and its Optoelectronic Applications
透明衬底上单晶GeSn的形成及其光电应用
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Hosoi;H. Oka;T. Shimura;and H. Watanabe
- 通讯作者:and H. Watanabe
Back-side Illuminated GeSn Photodiode Array on Quartz Substrate Fabricated by Laser-induced Liquid-phase Crystallization for Monolithically-integrated NIR Imager Chip
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- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H. Oka;K. Inoue;T. T. Nguyen;S. Kuroki;T. Hosoi;T. Shimura;and H. Watanabe
- 通讯作者:and H. Watanabe
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透明基板上单晶 GeSn 中基于 n /p 结的增强型 N 沟道 TFT 和室温近红外发射
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H. Oka;M. Koyama;T. Hosoi;T. Shimura;and H. Watanabe
- 通讯作者:and H. Watanabe
Lightly doped n-type tensile-strained single-crystalline GeSn-on-insulator structures formed by lateral liquid-phase crystallization
- DOI:10.7567/apex.11.011304
- 发表时间:2018-01-01
- 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:Oka, Hiroshi;Tomita, Takashi;Watanabe, Heiji
- 通讯作者:Watanabe, Heiji
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