Fabrication of tensile-strained single-crystalline GeSn wires on an insulator by lateral liquid-phase epitaxy towards electronic and opto-electronic device applications

通过横向液相外延在绝缘体上制造拉伸应变单晶 GeSn 线,用于电子和光电器件应用

基本信息

  • 批准号:
    15H03975
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 10.65万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2015
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2015-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量(0)
Fabrication of tensile-strained single-crystalline GeSn on transparent substrate by nucleation-controlled liquid-phase crystallization
  • DOI:
    10.1063/1.4974473
  • 发表时间:
    2017-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    H. Oka;T. Amamoto;M. Koyama;Y. Imai;S. Kimura;T. Hosoi;T. Shimura;Heiji Watanabe
  • 通讯作者:
    H. Oka;T. Amamoto;M. Koyama;Y. Imai;S. Kimura;T. Hosoi;T. Shimura;Heiji Watanabe
Single-Crystalline GeSn Formation on Transparent Substrate and its Optoelectronic Applications
透明衬底上单晶GeSn的形成及其光电应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Hosoi;H. Oka;T. Shimura;and H. Watanabe
  • 通讯作者:
    and H. Watanabe
Back-side Illuminated GeSn Photodiode Array on Quartz Substrate Fabricated by Laser-induced Liquid-phase Crystallization for Monolithically-integrated NIR Imager Chip
用于单片集成近红外成像芯片的石英基板上的背面照明 GeSn 光电二极管阵列,采用激光诱导液相结晶技术制造
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Oka;K. Inoue;T. T. Nguyen;S. Kuroki;T. Hosoi;T. Shimura;and H. Watanabe
  • 通讯作者:
    and H. Watanabe
Enhancement-Mode N-Channel TFT and Room-Temperature Near-Infrared Emission Based on n+/p Junction in Single-Crystalline GeSn on Transparent Substrate
透明基板上单晶 GeSn 中基于 n /p 结的增强型 N 沟道 TFT 和室温近红外发射
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Oka;M. Koyama;T. Hosoi;T. Shimura;and H. Watanabe
  • 通讯作者:
    and H. Watanabe
Lightly doped n-type tensile-strained single-crystalline GeSn-on-insulator structures formed by lateral liquid-phase crystallization
  • DOI:
    10.7567/apex.11.011304
  • 发表时间:
    2018-01-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.3
  • 作者:
    Oka, Hiroshi;Tomita, Takashi;Watanabe, Heiji
  • 通讯作者:
    Watanabe, Heiji
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  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
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  • 通讯作者:
    S. Yokoyama
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  • DOI:
    10.35848/1882-0786/ac926c
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    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
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  • 发表时间:
    2022
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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    一井 崇
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    Shimura Takayoshi
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ngo Nguyen Hoai;Nguyen Anh Quang;Bufler Fabian M.;Kamakura Yoshinari;Mutoh Hideki;Shimura Takayoshi;Hosoi Takuji;Watanabe Heiji;Matagne Philippe;Shimonomura Kazuhiro;Takehara Kohsei;Charbon Edoardo;Etoh Takeharu Goji;小嶋崇文
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